Gate-Kapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gate-Kapazität = Kanalgebühr/(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)
Cg = Qch/(Vgc-Vt)
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Gate-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Kapazität ist die Kapazität des Gate-Anschlusses eines Feldeffekttransistors.
Kanalgebühr - (Gemessen in Coulomb) - Kanalladung ist definiert als die Kraft, die eine Materie erfährt, wenn sie in ein elektromagnetisches Feld gebracht wird.
Gate-zu-Kanal-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-zu-Kanal-Spannung ist definiert als der Drain-Source-Einschaltwiderstand, der größer als der Nennwert ist, wenn die Gate-Spannung in der Nähe der Schwellenspannung liegt.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Kanalgebühr: 0.4 Millicoulomb --> 0.0004 Coulomb (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gate-zu-Kanal-Spannung: 7.011 Volt --> 7.011 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Cg = Qch/(Vgc-Vt) --> 0.0004/(7.011-0.3)
Auswerten ... ...
Cg = 5.96036358217851E-05
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
5.96036358217851E-05 Farad -->59.6036358217851 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
59.6036358217851 59.60364 Mikrofarad <-- Gate-Kapazität
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

Body-Effect-Koeffizient
​ LaTeX ​ Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))
DIBL-Koeffizient
​ LaTeX ​ Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial
Kanalladung
​ LaTeX ​ Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)
Kritische Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Gate-Kapazität Formel

​LaTeX ​Gehen
Gate-Kapazität = Kanalgebühr/(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)
Cg = Qch/(Vgc-Vt)

Welche Anwendungen gibt es zur Berechnung der Gate-Kapazität in VLSI?

Die Berechnung der Gate-Kapazität (VLSI) ist entscheidend für die Optimierung des Stromverbrauchs und der Signalintegrität. Es hilft beim Entwurf effizienter CMOS-Schaltkreise, bei der Bestimmung von Verzögerungen und bei der Minimierung der Schaltleistung. Dieses Wissen ist von entscheidender Bedeutung für die Entwicklung hochleistungsfähiger integrierter Schaltkreise mit geringem Stromverbrauch in Anwendungen wie Smartphones, IoT-Geräten und Mikroprozessoren.

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