Tore auf kritischem Pfad Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gates auf kritischem Weg = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^Basiskollektorspannung))/(Kapazität von Gate zu Kanal*[BoltZ]*Basiskollektorspannung)
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 5 Variablen
Verwendete Konstanten
[BoltZ] - Boltzmann-Konstante Wert genommen als 1.38064852E-23
Verwendete Variablen
Gates auf kritischem Weg - Gatter auf kritischem Pfad sind definiert als die Gesamtzahl der Logikgatter, die während einer Zykluszeit im CMOS benötigt werden.
Auslastungsgrad - Ein Arbeitszyklus oder Leistungszyklus ist der Bruchteil einer Periode, in der ein Signal oder System aktiv ist.
Aus Strom - (Gemessen in Ampere) - Der Ausschaltstrom eines Schalters ist in der Realität ein nicht vorhandener Wert. Echte Schalter haben normalerweise einen sehr geringen Ausschaltstrom, der manchmal auch als Leckstrom bezeichnet wird.
Basiskollektorspannung - (Gemessen in Volt) - Die Basiskollektorspannung ist ein entscheidender Parameter bei der Transistorvorspannung. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Basis- und Kollektoranschlüssen des Transistors, wenn dieser sich in seinem aktiven Zustand befindet.
Kapazität von Gate zu Kanal - (Gemessen in Farad) - Die Kapazität von Gate zu Kanal ist die Kapazität aufgrund der Überlappung der Source- und Kanalbereiche durch das Polysilizium-Gate und ist unabhängig von der angelegten Spannung.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Auslastungsgrad: 1.3E-25 --> Keine Konvertierung erforderlich
Aus Strom: 0.01 Milliampere --> 1E-05 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Basiskollektorspannung: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Kapazität von Gate zu Kanal: 5.1 Millifarad --> 0.0051 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^2.02))/(0.0051*[BoltZ]*2.02)
Auswerten ... ...
Ng = 0.000957058919420363
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.000957058919420363 --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.000957058919420363 0.000957 <-- Gates auf kritischem Weg
(Berechnung in 00.021 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

CMOS-Leistungsmetriken Taschenrechner

Aktivitätsfaktor
​ LaTeX ​ Gehen Aktivitätsfaktor = Schaltleistung/(Kapazität*Basiskollektorspannung^2*Frequenz)
Schaltleistung
​ LaTeX ​ Gehen Schaltleistung = Aktivitätsfaktor*(Kapazität*Basiskollektorspannung^2*Frequenz)
Dynamische Leistung im CMOS
​ LaTeX ​ Gehen Dynamische Kraft = Kurzschlussstrom+Schaltleistung
Kurzschlussstrom im CMOS
​ LaTeX ​ Gehen Kurzschlussstrom = Dynamische Kraft-Schaltleistung

Tore auf kritischem Pfad Formel

​LaTeX ​Gehen
Gates auf kritischem Weg = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^Basiskollektorspannung))/(Kapazität von Gate zu Kanal*[BoltZ]*Basiskollektorspannung)
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc)

Was ist Unterschwellenleitung?

Subthreshold-Leitung oder Subthreshold-Leckage oder Subthreshold-Drain-Strom ist der Strom zwischen Source und Drain eines MOSFET, wenn sich der Transistor im Subthreshold-Bereich oder im Bereich mit schwacher Inversion befindet, dh für Gate-Source-Spannungen unterhalb der Schwellenspannung.

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