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Anteil der Verunreinigung im Gitter der Energie Taschenrechner

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✖Die pro Verunreinigung erforderliche Energie ist E ist die Energie, die für die Besetzung einer Verunreinigung im Kristallgitter erforderlich ist.ⓘ Energiebedarf pro Verunreinigung [ΔE]			+10% -10%
✖Temperatur ist der Grad oder die Intensität der Wärme, die in einer Substanz oder einem Objekt vorhanden ist.ⓘ Temperatur [T]			+10% -10%

✖Der Anteil der Verunreinigungen ist das Verhältnis des von Verunreinigungen besetzten Kristallgitters zur Gesamtzahl. des Kristallgitters.ⓘ Anteil der Verunreinigung im Gitter der Energie [f]

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Anteil der Verunreinigung im Gitter der Energie Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Anteil der Verunreinigungen = exp(-Energiebedarf pro Verunreinigung/([R]*Temperatur))
f = exp(-ΔE/([R]*T))
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 1 Funktionen, 3 Variablen

Verwendete Konstanten

[R] - Universelle Gas Konstante Wert genommen als 8.31446261815324

Verwendete Funktionen

exp - Bei einer Exponentialfunktion ändert sich der Funktionswert bei jeder Einheitsänderung der unabhängigen Variablen um einen konstanten Faktor., exp(Number)

Verwendete Variablen

Anteil der Verunreinigungen - Der Anteil der Verunreinigungen ist das Verhältnis des von Verunreinigungen besetzten Kristallgitters zur Gesamtzahl. des Kristallgitters.
Energiebedarf pro Verunreinigung - (Gemessen in Joule) - Die pro Verunreinigung erforderliche Energie ist E ist die Energie, die für die Besetzung einer Verunreinigung im Kristallgitter erforderlich ist.
Temperatur - (Gemessen in Kelvin) - Temperatur ist der Grad oder die Intensität der Wärme, die in einer Substanz oder einem Objekt vorhanden ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Energiebedarf pro Verunreinigung: 500 Joule --> 500 Joule Keine Konvertierung erforderlich
Temperatur: 85 Kelvin --> 85 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

f = exp(-ΔE/([R]*T)) --> exp(-500/([R]*85))

Auswerten ... ...

f = 0.492882514112385

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.492882514112385 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.492882514112385 ≈ 0.492883 <-- Anteil der Verunreinigungen

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Prerana Bakli

Universität von Hawaii in Mānoa (Äh, Manoa), Hawaii, USA

Prerana Bakli hat diesen Rechner und 800+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Akshada Kulkarni

Nationales Institut für Informationstechnologie (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner verifiziert!

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Verpackungseffizienz

LaTeX Gehen Verpackungseffizienz = (Volumen, das von Kugeln in der Elementarzelle eingenommen wird/Gesamtvolumen der Einheitszelle)*100

Kantenlänge der flächenzentrierten Einheitszelle

LaTeX Gehen Kantenlänge = 2*sqrt(2)*Radius des konstituierenden Partikels

Kantenlänge der körperzentrierten Einheitszelle

LaTeX Gehen Kantenlänge = 4*Radius des konstituierenden Partikels/sqrt(3)

Kantenlänge der einfachen kubischen Einheitszelle

LaTeX Gehen Kantenlänge = 2*Radius des konstituierenden Partikels

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Anteil der Verunreinigung im Gitter der Energie Formel

LaTeX Gehen

Anteil der Verunreinigungen = exp(-Energiebedarf pro Verunreinigung/([R]*Temperatur))
f = exp(-ΔE/([R]*T))

Was sind Kristallfehler?

Die Anordnung der Atome in allen Materialien enthält Unvollkommenheiten, die einen tiefgreifenden Einfluss auf das Verhalten der Materialien haben. Gitterfehler können in drei Bereiche unterteilt werden: 1. Punktfehler (Leerstellen, Zwischengitterfehler, Substitutionsfehler) 2. Linienfehler (Schraubenversetzung, Kantenversetzung) 3. Oberflächenfehler (Materialoberfläche, Korngrenzen)

Warum sind Defekte wichtig?

Es gibt viele Eigenschaften, die durch Defekte gesteuert oder beeinflusst werden, zum Beispiel: 1. Elektrische und thermische Leitfähigkeit in Metallen (stark reduziert durch Punktdefekte). 2. Elektronische Leitfähigkeit in Halbleitern (kontrolliert durch Substitutionsfehler). 3. Diffusion (kontrolliert durch freie Stellen). 4. Ionenleitfähigkeit (kontrolliert durch Leerstellen). 5. Plastische Verformung in kristallinen Materialien (kontrolliert durch Versetzung). 6. Farben (von Mängeln betroffen). 7. Mechanische Festigkeit (stark von Defekten abhängig).

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