Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch
Rfi = modulus(Va)/id
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 3 Variablen
Verwendete Funktionen
modulus - Der Modul einer Zahl ist der Rest, wenn diese Zahl durch eine andere Zahl geteilt wird., modulus
Verwendete Variablen
Endlicher Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Ein endlicher Widerstand bedeutet einfach, dass der Widerstand in einem Stromkreis nicht unendlich oder Null ist. Mit anderen Worten: Der Stromkreis weist einen gewissen Widerstand auf, der das Verhalten des Stromkreises beeinflussen kann.
Positive Gleichspannung - (Gemessen in Volt) - Positive Gleichspannung ist die Spannung am Pluspol einer Gleichspannungsquelle, die höher ist als die am Minuspol, was zu einem Stromfluss in einer bestimmten Richtung führt.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Positive Gleichspannung: 0.0051 Volt --> 0.0051 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Stromverbrauch: 0.08 Milliampere --> 8E-05 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Rfi = modulus(Va)/id --> modulus(0.0051)/8E-05
Auswerten ... ...
Rfi = 63.75
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
63.75 Ohm -->0.06375 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.06375 Kiloohm <-- Endlicher Widerstand
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Anshika Arya
Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur
Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

Widerstand Taschenrechner

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis
​ LaTeX ​ Gehen Linearer Widerstand = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung)
Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source
​ LaTeX ​ Gehen Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch
Mittlerer freier Elektronenweg
​ LaTeX ​ Gehen Mittlerer freier Elektronenweg = 1/(Ausgangswiderstand*Stromverbrauch)
Ausgangswiderstand entleeren
​ LaTeX ​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Stromverbrauch)

Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source Formel

​LaTeX ​Gehen
Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch
Rfi = modulus(Va)/id

Was ist Drainstrom im MOSFET?

Der Drainstrom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit Vgs. Der Kehrwert der Steigung des Logarithmus (Ids) gegenüber der Vgs-Charakteristik wird als Unterschwellensteigung S definiert und ist eine der kritischsten Leistungsmetriken für MOSFETs in Logikanwendungen.

Was ist der Bereich des endlichen Widerstands?

Typischerweise liegt der endliche Widerstand im Bereich von 10 kΩ bis 1000 kΩ. Das schwerwiegendste Manko des Kleinsignalmodells besteht darin, dass davon ausgegangen wird, dass der Drainstrom in der Sättigung unabhängig von der Drainspannung ist, während er auch vom endlichen Widerstand abhängt

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