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Die absolute Temperatur ist ein Maß für die Wärmeenergie in einem System und wird in Kelvin gemessen.
ⓘ
Absolute Temperatur [T
a
]
Celsius
Fahrenheit
Kelvin
Rankine
+10%
-10%
✖
Die Donator-Dotierstoffkonzentration ist die Konzentration der Donatoratome pro Volumeneinheit.
ⓘ
Donator-Dotierstoffkonzentration [N
d
]
Elektronen pro Kubikzentimeter
Elektronen pro Kubikmeter
+10%
-10%
✖
Die intrinsische Ladungsträgerkonzentration ist eine grundlegende Eigenschaft eines Halbleitermaterials und stellt die Konzentration thermisch erzeugter Ladungsträger ohne äußere Einflüsse dar.
ⓘ
Intrinsische Trägerkonzentration [n
i
]
Elektronen pro Kubikzentimeter
Elektronen pro Kubikmeter
+10%
-10%
✖
Das Fermipotential für den N-Typ ist ein Schlüsselparameter, der das Energieniveau beschreibt, bei dem die Wahrscheinlichkeit, ein Elektron zu finden, 0,5 beträgt.
ⓘ
Fermipotential für N-Typ [Φ
Fn
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
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Fermipotential für N-Typ Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Fermipotential für N-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Donator-Dotierstoffkonzentration
/
Intrinsische Trägerkonzentration
)
Φ
Fn
= (
[BoltZ]
*
T
a
)/
[Charge-e]
*
ln
(
N
d
/
n
i
)
Diese formel verwendet
2
Konstanten
,
1
Funktionen
,
4
Variablen
Verwendete Konstanten
[Charge-e]
- Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
[BoltZ]
- Boltzmann-Konstante Wert genommen als 1.38064852E-23
Verwendete Funktionen
ln
- Der natürliche Logarithmus, auch Logarithmus zur Basis e genannt, ist die Umkehrfunktion der natürlichen Exponentialfunktion., ln(Number)
Verwendete Variablen
Fermipotential für N-Typ
-
(Gemessen in Volt)
- Das Fermipotential für den N-Typ ist ein Schlüsselparameter, der das Energieniveau beschreibt, bei dem die Wahrscheinlichkeit, ein Elektron zu finden, 0,5 beträgt.
Absolute Temperatur
-
(Gemessen in Kelvin)
- Die absolute Temperatur ist ein Maß für die Wärmeenergie in einem System und wird in Kelvin gemessen.
Donator-Dotierstoffkonzentration
-
(Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter)
- Die Donator-Dotierstoffkonzentration ist die Konzentration der Donatoratome pro Volumeneinheit.
Intrinsische Trägerkonzentration
-
(Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter)
- Die intrinsische Ladungsträgerkonzentration ist eine grundlegende Eigenschaft eines Halbleitermaterials und stellt die Konzentration thermisch erzeugter Ladungsträger ohne äußere Einflüsse dar.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Absolute Temperatur:
24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich
Donator-Dotierstoffkonzentration:
1.7E+23 Elektronen pro Kubikmeter --> 1.7E+23 Elektronen pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Intrinsische Trägerkonzentration:
3000000 Elektronen pro Kubikmeter --> 3000000 Elektronen pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Φ
Fn
= ([BoltZ]*T
a
)/[Charge-e]*ln(N
d
/n
i
) -->
(
[BoltZ]
*24.5)/
[Charge-e]
*
ln
(1.7E+23/3000000)
Auswerten ... ...
Φ
Fn
= 0.081443344057026
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.081443344057026 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.081443344057026
≈
0.081443 Volt
<--
Fermipotential für N-Typ
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)
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Fermipotential für N-Typ
Credits
Erstellt von
Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(HITK)
,
Kalkutta
Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
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MOS-Transistor Taschenrechner
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
LaTeX
Gehen
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
= -(2*
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
)/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
)*(
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Endspannung
)-
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Anfangsspannung
)))
Fermipotential für P-Typ
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Gehen
Fermipotential für P-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsische Trägerkonzentration
/
Dopingkonzentration des Akzeptors
)
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
LaTeX
Gehen
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
=
Umfang der Seitenwand
*
Seitenwandübergangskapazität
*
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit
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Seitenwandübergangskapazität
=
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
*
Tiefe der Seitenwand
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Fermipotential für N-Typ Formel
LaTeX
Gehen
Fermipotential für N-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Donator-Dotierstoffkonzentration
/
Intrinsische Trägerkonzentration
)
Φ
Fn
= (
[BoltZ]
*
T
a
)/
[Charge-e]
*
ln
(
N
d
/
n
i
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