Fermipotential für P-Typ Taschenrechner

✖Die absolute Temperatur ist ein Maß für die Wärmeenergie in einem System und wird in Kelvin gemessen.ⓘ Absolute Temperatur [T_a]			+10% -10%
✖Die intrinsische Ladungsträgerkonzentration ist eine grundlegende Eigenschaft eines Halbleitermaterials und stellt die Konzentration thermisch erzeugter Ladungsträger ohne äußere Einflüsse dar.ⓘ Intrinsische Trägerkonzentration [n_i]			+10% -10%
✖Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.ⓘ Dopingkonzentration des Akzeptors [N_A]			+10% -10%

✖Das Fermipotential für den P-Typ ist das Energieniveau, das die Elektronen mit der höchsten Energie im Valenzband im thermischen Gleichgewicht darstellt.ⓘ Fermipotential für P-Typ [Φ_Fp]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOSFET Formel Pdf PDF Image

Fermipotential für P-Typ Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Fermipotential für P-Typ = ([BoltZ]*Absolute Temperatur)/[Charge-e]*ln(Intrinsische Trägerkonzentration/Dopingkonzentration des Akzeptors)
Φ_Fp = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(n_i/N_A)
Diese formel verwendet 2 Konstanten, 1 Funktionen, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
[BoltZ] - Boltzmann-Konstante Wert genommen als 1.38064852E-23

Verwendete Funktionen

ln - Der natürliche Logarithmus, auch Logarithmus zur Basis e genannt, ist die Umkehrfunktion der natürlichen Exponentialfunktion., ln(Number)

Verwendete Variablen

Fermipotential für P-Typ - (Gemessen in Volt) - Das Fermipotential für den P-Typ ist das Energieniveau, das die Elektronen mit der höchsten Energie im Valenzband im thermischen Gleichgewicht darstellt.
Absolute Temperatur - (Gemessen in Kelvin) - Die absolute Temperatur ist ein Maß für die Wärmeenergie in einem System und wird in Kelvin gemessen.
Intrinsische Trägerkonzentration - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die intrinsische Ladungsträgerkonzentration ist eine grundlegende Eigenschaft eines Halbleitermaterials und stellt die Konzentration thermisch erzeugter Ladungsträger ohne äußere Einflüsse dar.
Dopingkonzentration des Akzeptors - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Absolute Temperatur: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich
Intrinsische Trägerkonzentration: 3000000 Elektronen pro Kubikmeter --> 3000000 Elektronen pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Dopingkonzentration des Akzeptors: 1.32 Elektronen pro Kubikzentimeter --> 1320000 Elektronen pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

Φ_Fp = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(n_i/N_A) --> ([BoltZ]*24.5)/[Charge-e]*ln(3000000/1320000)

Auswerten ... ...

Φ_Fp = 0.00173329185218156

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00173329185218156 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.00173329185218156 ≈ 0.001733 Volt <-- Fermipotential für P-Typ

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » MOSFET » Analoge Elektronik » MOS-Transistor » Fermipotential für P-Typ

Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< MOS-Transistor Taschenrechner

Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

LaTeX Gehen Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung = -(2*sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen)/(Endspannung-Anfangsspannung)*(sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Endspannung)-sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Anfangsspannung)))

Fermipotential für P-Typ

LaTeX Gehen Fermipotential für P-Typ = ([BoltZ]*Absolute Temperatur)/[Charge-e]*ln(Intrinsische Trägerkonzentration/Dopingkonzentration des Akzeptors)

Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität

LaTeX Gehen Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität = Umfang der Seitenwand*Seitenwandübergangskapazität*Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit

LaTeX Gehen Seitenwandübergangskapazität = Null-Bias-Seitenwandübergangspotential*Tiefe der Seitenwand

Mehr sehen >>

Fermipotential für P-Typ Formel

LaTeX Gehen

Fermipotential für P-Typ = ([BoltZ]*Absolute Temperatur)/[Charge-e]*ln(Intrinsische Trägerkonzentration/Dopingkonzentration des Akzeptors)
Φ_Fp = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(n_i/N_A)

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!