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✖
Unter Endspannung versteht man den Spannungspegel, der am Ende eines bestimmten Prozesses oder Ereignisses erreicht oder gemessen wird.
ⓘ
Endspannung [V
2
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
+10%
-10%
✖
Unter Anfangsspannung versteht man die Spannung, die an einem bestimmten Punkt in einem Stromkreis zu Beginn eines bestimmten Vorgangs oder unter bestimmten Bedingungen anliegt.
ⓘ
Anfangsspannung [V
1
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
+10%
-10%
✖
Unter Übergangskapazität versteht man die Kapazität, die aus dem Verarmungsbereich zwischen den Source/Drain-Anschlüssen und dem Substrat entsteht.
ⓘ
Sperrschichtkapazität [C
j
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Pikofarad
+10%
-10%
✖
Die äquivalente Großsignalkapazität ist ein vereinfachtes Modell, das zur Darstellung der kombinierten Wirkung der Sperrschichtkapazitäten bei niedrigen Frequenzen (Großsignalbereich) verwendet wird.
ⓘ
Äquivalente Großsignalkapazität [C
eq
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Pikofarad
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Schritte
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Formel
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Herunterladen MOSFET Formel Pdf
Äquivalente Großsignalkapazität Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Äquivalente Großsignalkapazität
= (1/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
))*
int
(
Sperrschichtkapazität
*x,x,
Anfangsspannung
,
Endspannung
)
C
eq
= (1/(
V
2
-
V
1
))*
int
(
C
j
*x,x,
V
1
,
V
2
)
Diese formel verwendet
1
Funktionen
,
4
Variablen
Verwendete Funktionen
int
- Mit dem bestimmten Integral kann die Nettofläche mit Vorzeichen berechnet werden. Dabei handelt es sich um die Fläche oberhalb der x-Achse abzüglich der Fläche unterhalb der x-Achse., int(expr, arg, from, to)
Verwendete Variablen
Äquivalente Großsignalkapazität
-
(Gemessen in Farad)
- Die äquivalente Großsignalkapazität ist ein vereinfachtes Modell, das zur Darstellung der kombinierten Wirkung der Sperrschichtkapazitäten bei niedrigen Frequenzen (Großsignalbereich) verwendet wird.
Endspannung
-
(Gemessen in Volt)
- Unter Endspannung versteht man den Spannungspegel, der am Ende eines bestimmten Prozesses oder Ereignisses erreicht oder gemessen wird.
Anfangsspannung
-
(Gemessen in Volt)
- Unter Anfangsspannung versteht man die Spannung, die an einem bestimmten Punkt in einem Stromkreis zu Beginn eines bestimmten Vorgangs oder unter bestimmten Bedingungen anliegt.
Sperrschichtkapazität
-
(Gemessen in Farad)
- Unter Übergangskapazität versteht man die Kapazität, die aus dem Verarmungsbereich zwischen den Source/Drain-Anschlüssen und dem Substrat entsteht.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Endspannung:
6.135 Nanovolt --> 6.135E-09 Volt
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Anfangsspannung:
5.42 Nanovolt --> 5.42E-09 Volt
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Sperrschichtkapazität:
95009 Farad --> 95009 Farad Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
C
eq
= (1/(V
2
-V
1
))*int(C
j
*x,x,V
1
,V
2
) -->
(1/(6.135E-09-5.42E-09))*
int
(95009*x,x,5.42E-09,6.135E-09)
Auswerten ... ...
C
eq
= 0.0005489144975
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.0005489144975 Farad --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.0005489144975
≈
0.000549 Farad
<--
Äquivalente Großsignalkapazität
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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Äquivalente Großsignalkapazität
Credits
Erstellt von
Vignesh Naidu
Vellore Institut für Technologie
(VIT)
,
Vellore, Tamil Nadu
Vignesh Naidu hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(HITK)
,
Kalkutta
Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
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MOS-Transistor Taschenrechner
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
LaTeX
Gehen
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
= -(2*
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
)/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
)*(
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Endspannung
)-
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Anfangsspannung
)))
Fermipotential für P-Typ
LaTeX
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Fermipotential für P-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsische Trägerkonzentration
/
Dopingkonzentration des Akzeptors
)
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
LaTeX
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Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
=
Umfang der Seitenwand
*
Seitenwandübergangskapazität
*
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit
LaTeX
Gehen
Seitenwandübergangskapazität
=
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
*
Tiefe der Seitenwand
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Äquivalente Großsignalkapazität Formel
LaTeX
Gehen
Äquivalente Großsignalkapazität
= (1/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
))*
int
(
Sperrschichtkapazität
*x,x,
Anfangsspannung
,
Endspannung
)
C
eq
= (1/(
V
2
-
V
1
))*
int
(
C
j
*x,x,
V
1
,
V
2
)
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