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Emitter-Injektionseffizienz Taschenrechner

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✖Der Emitterstrom bezieht sich auf den Strom, der während des Betriebs zwischen den Emitter- und Basisanschlüssen des Transistors fließt.ⓘ Emitterstrom [I_E]			+10% -10%
✖Der Emitterstrom aufgrund von Elektronen ist der maximal mögliche Strom der Mehrheitsträger, der in den Emitter fließt.ⓘ Emitterstrom durch Elektronen [I_Ee]			+10% -10%
✖Der Emitterstrom aufgrund von Löchern ist der maximal mögliche Strom von Minoritätsträgern, die in die Basis eingespeist werden.ⓘ Emitterstrom durch Löcher [I_Eh]			+10% -10%

✖Die Emitter-Injektionseffizienz ist das Verhältnis des im Emitter fließenden Elektronenstroms zum Gesamtstrom über die Emitter-Basis-Verbindung.ⓘ Emitter-Injektionseffizienz [γ]

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Formel

✖

Emitter-Injektionseffizienz

Formel

γ = \frac{I E}{I Ee + I Eh}

Beispiel

0.727273 = \frac{0.008 A}{0.005 A + 0.006 A}

Taschenrechner

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Emitter-Injektionseffizienz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Emitter-Einspritzeffizienz - Die Emitter-Injektionseffizienz ist das Verhältnis des im Emitter fließenden Elektronenstroms zum Gesamtstrom über die Emitter-Basis-Verbindung.
Emitterstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom bezieht sich auf den Strom, der während des Betriebs zwischen den Emitter- und Basisanschlüssen des Transistors fließt.
Emitterstrom durch Elektronen - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom aufgrund von Elektronen ist der maximal mögliche Strom der Mehrheitsträger, der in den Emitter fließt.
Emitterstrom durch Löcher - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom aufgrund von Löchern ist der maximal mögliche Strom von Minoritätsträgern, die in die Basis eingespeist werden.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Emitterstrom: 0.008 Ampere --> 0.008 Ampere Keine Konvertierung erforderlich
Emitterstrom durch Elektronen: 0.005 Ampere --> 0.005 Ampere Keine Konvertierung erforderlich
Emitterstrom durch Löcher: 0.006 Ampere --> 0.006 Ampere Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

γ = I_E/(I_Ee+I_Eh) --> 0.008/(0.005+0.006)

Auswerten ... ...

γ = 0.727272727272727

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.727272727272727 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Emitter-Einspritzeffizienz

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Leitfähigkeit vom N-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

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