Emitterstrom für UJT-basierte Thyristor-Zündschaltung Taschenrechner

✖Die Emitterspannung ist definiert als die Spannung am Emitteranschluss eines beliebigen Transistorgeräts.ⓘ Emitterspannung [V_E]			+10% -10%
✖Die Diodenspannung ist definiert als die Spannung, die an der Diode entsteht, wenn diese in einem Schaltkreis auf Thyristorbasis eingeschaltet ist.ⓘ Diodenspannung [V_d]			+10% -10%
✖Der Emitterwiderstand Basis 1 ist der Widerstand, der dem Strom geboten wird, der durch den Basis-1-Übergang des UJT fließt.ⓘ Emitter-Widerstandsbasis 1 [R_B1]			+10% -10%
✖Der Emitterwiderstand ist ein dynamischer Widerstand der Emitter-Basis-Sperrschichtdiode jeder Zündschaltung auf Thyristorbasis.ⓘ Emitterwiderstand [R_E]			+10% -10%

✖Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom einer Schaltung auf Thyristorbasis.ⓘ Emitterstrom für UJT-basierte Thyristor-Zündschaltung [I_E]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen Siliziumgesteuerter Gleichrichter Formel Pdf PDF Image

Emitterstrom für UJT-basierte Thyristor-Zündschaltung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Emitterstrom = (Emitterspannung-Diodenspannung)/(Emitter-Widerstandsbasis 1+Emitterwiderstand)
I_E = (V_E-V_d)/(R_B1+R_E)
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Emitterstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom einer Schaltung auf Thyristorbasis.
Emitterspannung - (Gemessen in Volt) - Die Emitterspannung ist definiert als die Spannung am Emitteranschluss eines beliebigen Transistorgeräts.
Diodenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Diodenspannung ist definiert als die Spannung, die an der Diode entsteht, wenn diese in einem Schaltkreis auf Thyristorbasis eingeschaltet ist.
Emitter-Widerstandsbasis 1 - (Gemessen in Ohm) - Der Emitterwiderstand Basis 1 ist der Widerstand, der dem Strom geboten wird, der durch den Basis-1-Übergang des UJT fließt.
Emitterwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Emitterwiderstand ist ein dynamischer Widerstand der Emitter-Basis-Sperrschichtdiode jeder Zündschaltung auf Thyristorbasis.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Emitterspannung: 60 Volt --> 60 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Diodenspannung: 20 Volt --> 20 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Emitter-Widerstandsbasis 1: 18 Ohm --> 18 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Emitterwiderstand: 12 Ohm --> 12 Ohm Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_E = (V_E-V_d)/(R_B1+R_E) --> (60-20)/(18+12)

Auswerten ... ...

I_E = 1.33333333333333

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.33333333333333 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.33333333333333 ≈ 1.333333 Ampere <-- Emitterstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektrisch » Leistungselektronik » Siliziumgesteuerter Gleichrichter » SCR-Zündkreis » Emitterstrom für UJT-basierte Thyristor-Zündschaltung

Credits

Erstellt von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 100+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Rachita C

BMS College of Engineering (BMSCE), Banglore

Rachita C hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< SCR-Zündkreis Taschenrechner

Thyristor-Zündwinkel für RC-Zündschaltung

LaTeX Gehen Schusswinkel = asin(Gate-Schwellenspannung*((Stabilisierender Widerstand+Variabler Widerstand+Thyristorwiderstand)/(Spitzeneingangsspannung*Stabilisierender Widerstand)))

Peak-Thyristor-Gate-Spannung für Widerstands-Zündungsschaltung

LaTeX Gehen Maximale Gate-Spannung = (Spitzeneingangsspannung*Stabilisierender Widerstand)/(Variabler Widerstand+Thyristorwiderstand+Stabilisierender Widerstand)

Peak-Thyristor-Gate-Spannung für RC-Zündkreis

LaTeX Gehen Maximale Gate-Spannung = Gate-Schwellenspannung/(sin(Winkelfrequenz*Zeitraum der progressiven Welle))

Entladestrom von dv-dt-Schutz-Thyristorschaltungen

LaTeX Gehen Entladestrom = Eingangsspannung/((Widerstand 1+Widerstand 2))

Mehr sehen >>

< SCR-Eigenschaften Taschenrechner

Derating-Faktor des in Reihe geschalteten Thyristorstrangs

LaTeX Gehen Derating-Faktor des Thyristorstrangs = 1-Resultierende Reihenspannung des Thyristorstrangs/(Im schlimmsten Fall stationäre Spannung*Anzahl der in Reihe geschalteten Thyristoren)

Verlustleistung durch Wärme im SCR

LaTeX Gehen Durch Wärme abgegebene Leistung = (Stellentemperatur-Umgebungstemperatur)/Wärmewiderstand

Thermischer Widerstand von SCR

LaTeX Gehen Wärmewiderstand = (Stellentemperatur-Umgebungstemperatur)/Durch Wärme abgegebene Leistung

Leckstrom der Kollektor-Basis-Verbindung

LaTeX Gehen Kollektorbasis-Leckstrom = Kollektorstrom-Common-Base-Stromverstärkung*Kollektorstrom

Mehr sehen >>

Emitterstrom für UJT-basierte Thyristor-Zündschaltung Formel

LaTeX Gehen

Emitterstrom = (Emitterspannung-Diodenspannung)/(Emitter-Widerstandsbasis 1+Emitterwiderstand)
I_E = (V_E-V_d)/(R_B1+R_E)

Besprechen Sie die Anwendungen von UJT?

Die häufigste Anwendung eines Unijunction-Transistors ist die Verwendung als Auslösegerät für SCRs und Triacs. Andere UJT-Anwendungen umfassen jedoch Sägezahngeneratoren, einfache Oszillatoren, Phasensteuerung und Zeitgeberschaltungen. Die einfachste aller UJT-Schaltungen ist der Relaxationsoszillator, der nicht-sinusförmige Wellenformen erzeugt. In einer einfachen und typischen UJT-Entspannungsoszillatorschaltung ist der Emitteranschluss des UJT mit der Verbindung eines in Reihe geschalteten Widerstands und Kondensators verbunden.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!