Emitterstrom unter Verwendung der gemeinsamen Emitterstromverstärkung Taschenrechner

✖Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird durch zwei Faktoren beeinflusst: Breite des Basisbereichs W und relative Dotierungen des Basisbereichs und des Emitterbereichs. Seine Reichweite variiert von 50-200.ⓘ Gemeinsame Emitterstromverstärkung [β]			+10% -10%
✖Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom [I_sat]			+10% -10%
✖Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.ⓘ Basis-Emitter-Spannung [V_BE]			+10% -10%
✖Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.ⓘ Thermische Spannung [V_t]			+10% -10%

✖Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Emitterstrom unter Verwendung der gemeinsamen Emitterstromverstärkung [I_e]

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Emitterstrom unter Verwendung der gemeinsamen Emitterstromverstärkung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Emitterstrom = ((Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
I_e = ((β+1)/β)*I_sat*e^(V_BE/V_t)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 5 Variablen

Verwendete Konstanten

e - Napier-Konstante Wert genommen als 2.71828182845904523536028747135266249

Verwendete Variablen

Emitterstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Gemeinsame Emitterstromverstärkung - Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird durch zwei Faktoren beeinflusst: Breite des Basisbereichs W und relative Dotierungen des Basisbereichs und des Emitterbereichs. Seine Reichweite variiert von 50-200.
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Basis-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.
Thermische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gemeinsame Emitterstromverstärkung: 65 --> Keine Konvertierung erforderlich
Sättigungsstrom: 1.675 Milliampere --> 0.001675 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Basis-Emitter-Spannung: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Thermische Spannung: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_e = ((β+1)/β)*I_sat*e^(V_BE/V_t) --> ((65+1)/65)*0.001675*e^(5.15/4.7)

Auswerten ... ...

I_e = 0.00508769723342933

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00508769723342933 Ampere -->5.08769723342933 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5.08769723342933 ≈ 5.087697 Milliampere <-- Emitterstrom

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Emitterstrom = ((Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
I_e = ((β+1)/β)*I_sat*e^(V_BE/V_t)

Was ist ein Emitterstrom?

Der Emitterstrom eines Transistors ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.

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