Emitterstrom bei Sättigungsstrom Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Emitterstrom = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(-Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
Ie = (Isat/α)*e^(-VBE/Vt)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 5 Variablen
Verwendete Konstanten
e - Napier-Konstante Wert genommen als 2.71828182845904523536028747135266249
Verwendete Variablen
Emitterstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Basisstromverstärkung - Die Stromverstärkung α in Basisschaltung steht in Beziehung zur Stromverstärkung β in Emitterschaltung und ihr Wert ist kleiner als 1, da der Kollektorstrom aufgrund der Rekombination von Elektronen immer kleiner als der Emitterstrom ist.
Basis-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.
Thermische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Sättigungsstrom: 1.675 Milliampere --> 0.001675 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Basisstromverstärkung: 0.985 --> Keine Konvertierung erforderlich
Basis-Emitter-Spannung: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Thermische Spannung: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Ie = (Isat/α)*e^(-VBE/Vt) --> (0.001675/0.985)*e^(-5.15/4.7)
Auswerten ... ...
Ie = 0.000568463667204731
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.000568463667204731 Ampere -->0.568463667204731 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.568463667204731 0.568464 Milliampere <-- Emitterstrom
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Emitterstrom Taschenrechner

Emitterstrom durch Minoritätsträgerkonzentration
​ LaTeX ​ Gehen Emitterstrom = Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(-Thermische Gleichgewichtskonzentration/Breite der Basisverbindung)
Emitterstrom unter Verwendung der gemeinsamen Emitterstromverstärkung
​ LaTeX ​ Gehen Emitterstrom = ((Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
Emitterstrom mit Transistorkonstante
​ LaTeX ​ Gehen Emitterstrom = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
Emitterstrom mit Kollektorstrom und Stromverstärkung
​ LaTeX ​ Gehen Emitterstrom = ((Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*Kollektorstrom

Emitterstrom bei Sättigungsstrom Formel

​LaTeX ​Gehen
Emitterstrom = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(-Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
Ie = (Isat/α)*e^(-VBE/Vt)

Warum ist der Kollektorstrom geringer als der Emitterstrom?

Wenn der Emitter-Basis-Übergang in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist und der Kollektor-Basis-Übergang in Rückwärtsrichtung vorgespannt ist, bewirkt die Spannung an der Vorrichtung, dass Elektronen vom Emitter zum Kollektor fließen. Dabei passieren Elektronen den leicht dotierten Basisbereich vom P-Typ und einige der Elektronen rekombinieren mit Löchern. Daher ist der Kollektorstrom geringer als der des Emitterstroms.

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