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Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten Taschenrechner

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✖Unter Dotierung auf der N-Seite versteht man den Vorgang des Einbringens spezifischer Arten von Verunreinigungen in den N-Typ-Halbleiterbereich eines Halbleiterbauelements.ⓘ Dotierung auf der N-Seite [N_dn]			+10% -10%
✖Unter Dotierung auf der P-Seite versteht man den Vorgang des Einbringens spezifischer Arten von Verunreinigungen in den P-Typ-Halbleiterbereich eines Halbleiterbauelements.ⓘ Dotierung auf der P-Seite [N_dp]			+10% -10%

✖Die Emitter-Injektionseffizienz ist das Verhältnis des im Emitter fließenden Elektronenstroms zum Gesamtstrom über die Emitter-Basis-Verbindung.ⓘ Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten [γ]

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Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)
γ = N_dn/(N_dn+N_dp)
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Emitter-Einspritzeffizienz - Die Emitter-Injektionseffizienz ist das Verhältnis des im Emitter fließenden Elektronenstroms zum Gesamtstrom über die Emitter-Basis-Verbindung.
Dotierung auf der N-Seite - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Dotierung auf der N-Seite versteht man den Vorgang des Einbringens spezifischer Arten von Verunreinigungen in den N-Typ-Halbleiterbereich eines Halbleiterbauelements.
Dotierung auf der P-Seite - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Dotierung auf der P-Seite versteht man den Vorgang des Einbringens spezifischer Arten von Verunreinigungen in den P-Typ-Halbleiterbereich eines Halbleiterbauelements.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Dotierung auf der N-Seite: 4.8 1 pro Kubikzentimeter --> 4800000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Dotierung auf der P-Seite: 1.8 1 pro Kubikzentimeter --> 1800000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

γ = N_dn/(N_dn+N_dp) --> 4800000/(4800000+1800000)

Auswerten ... ...

γ = 0.727272727272727

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.727272727272727 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Emitter-Einspritzeffizienz

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Leitfähigkeit vom N-Typ

LaTeX Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

LaTeX Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

LaTeX Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

LaTeX Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

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