✖Die PN-Übergangslänge ist definiert als die Gesamtlänge des Übergangs von der p-Seite zur n-Seite in einem Halbleiter.ⓘ PN-Verbindungslänge [Lpn] | | | +10% -10% |
✖Die Breite des Verarmungsbereichs in einer typischen Si-Diode reicht von einem Bruchteil eines Mikrometers bis zu mehreren zehn Mikrometern, abhängig von der Bauteilgeometrie, dem Dotierungsprofil und der externen Vorspannung.ⓘ Breite der Verarmungsregion [Ld] | | | +10% -10% |