Effektive Kanallänge Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Effektive Kanallänge = PN-Verbindungslänge-Breite der Verarmungsregion
Leff = Lpn-Ld
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Effektive Kanallänge - (Gemessen in Meter) - Die effektive Kanallänge ist definiert als der Pfad, der die Ladungsträger zwischen Drain und Source verbindet.
PN-Verbindungslänge - (Gemessen in Meter) - Die PN-Übergangslänge ist definiert als die Gesamtlänge des Übergangs von der p-Seite zur n-Seite in einem Halbleiter.
Breite der Verarmungsregion - (Gemessen in Meter) - Die Breite des Verarmungsbereichs in einer typischen Si-Diode reicht von einem Bruchteil eines Mikrometers bis zu mehreren zehn Mikrometern, abhängig von der Bauteilgeometrie, dem Dotierungsprofil und der externen Vorspannung.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
PN-Verbindungslänge: 19 Millimeter --> 0.019 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Breite der Verarmungsregion: 11.01 Millimeter --> 0.01101 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Leff = Lpn-Ld --> 0.019-0.01101
Auswerten ... ...
Leff = 0.00799
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.00799 Meter -->7.99 Millimeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
7.99 Millimeter <-- Effektive Kanallänge
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Eigenschaften der CMOS-Schaltung Taschenrechner

CMOS mittlerer freier Pfad
​ LaTeX ​ Gehen Mittlerer freier Pfad = Kritische Spannung im CMOS/Kritisches elektrisches Feld
Kritische CMOS-Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Kritische Spannung im CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad
Bereich der Quellendiffusion
​ LaTeX ​ Gehen Bereich der Quellendiffusion = Länge der Quelle*Übergangsbreite
Breite der Quellendiffusion
​ LaTeX ​ Gehen Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle

Effektive Kanallänge Formel

​LaTeX ​Gehen
Effektive Kanallänge = PN-Verbindungslänge-Breite der Verarmungsregion
Leff = Lpn-Ld

Welche Bedeutung hat die Kanallänge?

Idealerweise ist Ids unabhängig von Vds für einen Transistor in Sättigung, was den Transistor zu einer perfekten Stromquelle macht. Der pn-Übergang zwischen Drain und Körper bildet eine Verarmungszone mit einer Breite Ld, die mit Vdb zunimmt, wodurch die Verarmungszone effektiv die Kanallänge verkürzt.

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