Effektive Kapazität im CMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Effektive Kapazität im CMOS = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^(Basiskollektorspannung)))/(Gates auf kritischem Weg*[BoltZ]*Basiskollektorspannung)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 5 Variablen
Verwendete Konstanten
[BoltZ] - Boltzmann-Konstante Wert genommen als 1.38064852E-23
Verwendete Variablen
Effektive Kapazität im CMOS - (Gemessen in Farad) - Die effektive Kapazität im CMOS ist definiert als das Verhältnis der auf einem Leiter gespeicherten elektrischen Ladungsmenge zu einer elektrischen Potenzialdifferenz.
Auslastungsgrad - Ein Arbeitszyklus oder Leistungszyklus ist der Bruchteil einer Periode, in der ein Signal oder System aktiv ist.
Aus Strom - (Gemessen in Ampere) - Der Ausschaltstrom eines Schalters ist in der Realität ein nicht vorhandener Wert. Echte Schalter haben normalerweise einen sehr geringen Ausschaltstrom, der manchmal auch als Leckstrom bezeichnet wird.
Basiskollektorspannung - (Gemessen in Volt) - Die Basiskollektorspannung ist ein entscheidender Parameter bei der Transistorvorspannung. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Basis- und Kollektoranschlüssen des Transistors, wenn dieser sich in seinem aktiven Zustand befindet.
Gates auf kritischem Weg - Gatter auf kritischem Pfad sind definiert als die Gesamtzahl der Logikgatter, die während einer Zykluszeit im CMOS benötigt werden.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Auslastungsgrad: 1.3E-25 --> Keine Konvertierung erforderlich
Aus Strom: 0.01 Milliampere --> 1E-05 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Basiskollektorspannung: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Gates auf kritischem Weg: 0.95 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02)
Auswerten ... ...
Ceff = 5.13789525162511E-06
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
5.13789525162511E-06 Farad -->5.13789525162511 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
5.13789525162511 5.137895 Mikrofarad <-- Effektive Kapazität im CMOS
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Eigenschaften der CMOS-Schaltung Taschenrechner

CMOS mittlerer freier Pfad
​ LaTeX ​ Gehen Mittlerer freier Pfad = Kritische Spannung im CMOS/Kritisches elektrisches Feld
Kritische CMOS-Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Kritische Spannung im CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad
Bereich der Quellendiffusion
​ LaTeX ​ Gehen Bereich der Quellendiffusion = Länge der Quelle*Übergangsbreite
Breite der Quellendiffusion
​ LaTeX ​ Gehen Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle

Effektive Kapazität im CMOS Formel

​LaTeX ​Gehen
Effektive Kapazität im CMOS = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^(Basiskollektorspannung)))/(Gates auf kritischem Weg*[BoltZ]*Basiskollektorspannung)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)

Was ist die Unterschwellenleitung?

Subthreshold-Leitung oder Subthreshold-Leckage oder Subthreshold-Drain-Strom ist der Strom zwischen Source und Drain eines MOSFET, wenn sich der Transistor im Subthreshold-Bereich oder im Bereich mit schwacher Inversion befindet, dh für Gate-Source-Spannungen unterhalb der Schwellenspannung.

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