Drain-Sättigungsstrom des MOSFET Taschenrechner

✖Die Prozesstranskonduktanz in PMOS bezieht sich auf die Verstärkung eines PMOS-Transistors in Bezug auf seine Gate-Source-Spannung.ⓘ Transkonduktanz in PMOS verarbeiten [k'_p]			+10% -10%
✖Die Kanalbreite bezieht sich auf den Frequenzbereich, der zur Übertragung von Daten über einen drahtlosen Kommunikationskanal verwendet wird. Sie wird auch als Bandbreite bezeichnet und in Hertz (Hz) gemessen.ⓘ Kanalbreite [W_c]			+10% -10%
✖Die Kanallänge bezieht sich auf den Abstand zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen in einem Feldeffekttransistor (FET).ⓘ Kanallänge [L]			+10% -10%
✖Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.ⓘ Effektive Spannung [V_eff]			+10% -10%

✖Der Sättigungsdrainstrom ist ein wichtiger Parameter im Designⓘ Drain-Sättigungsstrom des MOSFET [I_d(sat)]

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Drain-Sättigungsstrom des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanz in PMOS verarbeiten*Kanalbreite/Kanallänge*(Effektive Spannung)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsdrainstrom ist ein wichtiger Parameter im Design
Transkonduktanz in PMOS verarbeiten - (Gemessen in Siemens) - Die Prozesstranskonduktanz in PMOS bezieht sich auf die Verstärkung eines PMOS-Transistors in Bezug auf seine Gate-Source-Spannung.
Kanalbreite - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite bezieht sich auf den Frequenzbereich, der zur Übertragung von Daten über einen drahtlosen Kommunikationskanal verwendet wird. Sie wird auch als Bandbreite bezeichnet und in Hertz (Hz) gemessen.
Kanallänge - (Gemessen in Meter) - Die Kanallänge bezieht sich auf den Abstand zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen in einem Feldeffekttransistor (FET).
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanz in PMOS verarbeiten: 0.58 Millisiemens --> 0.00058 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kanalbreite: 10 Mikrometer --> 1E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kanallänge: 100 Mikrometer --> 0.0001 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Effektive Spannung: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2 --> 1/2*0.00058*1E-05/0.0001*(1.7)^2

Auswerten ... ...

I_d(sat) = 8.381E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

8.381E-05 Ampere -->0.08381 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.08381 Milliampere <-- Sättigungsstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Zweiter Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb

LaTeX Gehen Strom ableiten 2 = DC-Vorstrom/2-DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2*sqrt(1-(Differenzielles Eingangssignal)^2/(4*Overdrive-Spannung^2))

Erster Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb

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Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

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Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

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Drain-Sättigungsstrom des MOSFET Formel

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Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanz in PMOS verarbeiten*Kanalbreite/Kanallänge*(Effektive Spannung)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2

Was ist Drain-Sättigungsstrom?

Eine Verarmungsschicht, die sich am Drain-Ende des Gates befindet, nimmt die zusätzliche Drain-Source-Spannung auf. Dieses Verhalten wird als Drainstromsättigung bezeichnet. Das quadratische Modell erklärt die typischen Strom-Spannungs-Eigenschaften eines MOSFET, die normalerweise für verschiedene Gate-Source-Spannungen aufgezeichnet werden.

Wie viel Strom kann ein MOSFET verarbeiten?

MOSFETs mit hoher Stromstärke wie der 511-STP200N3LL geben an, dass sie 120 Ampere Strom verarbeiten können. Der Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz MOSFET, hat einen extrem hohen Eingangs-Gate-Widerstand, wobei der durch den Kanal zwischen Source und Drain fließende Strom durch die Gate-Spannung gesteuert wird.

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