Drainstrom, wenn NMOS als spannungsgesteuerte Stromquelle arbeitet Taschenrechner

✖Der Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.ⓘ Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten [k'_n]			+10% -10%
✖Die Kanalbreite bezieht sich auf die Bandbreite, die für die Übertragung von Daten innerhalb eines Kommunikationskanals zur Verfügung steht.ⓘ Breite des Kanals [W_c]			+10% -10%
✖Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.ⓘ Länge des Kanals [L]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Spannung ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.ⓘ Gate-Source-Spannung [V_gs]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.ⓘ Grenzspannung [V_T]			+10% -10%

✖Der Drain-Strom im NMOS ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.ⓘ Drainstrom, wenn NMOS als spannungsgesteuerte Stromquelle arbeitet [I_d]

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Drainstrom, wenn NMOS als spannungsgesteuerte Stromquelle arbeitet Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2
Diese formel verwendet 6 Variablen

Verwendete Variablen

Drainstrom im NMOS - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom im NMOS ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.
Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten - (Gemessen in Siemens) - Der Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Breite des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite bezieht sich auf die Bandbreite, die für die Übertragung von Daten innerhalb eines Kommunikationskanals zur Verfügung steht.
Länge des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Breite des Kanals: 10 Mikrometer --> 1E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Länge des Kanals: 3 Mikrometer --> 3E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-Source-Spannung: 10.3 Volt --> 10.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(10.3-1.82)^2

Auswerten ... ...

I_d = 0.239701333333333

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.239701333333333 Ampere -->239.701333333333 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

239.701333333333 ≈ 239.7013 Milliampere <-- Drainstrom im NMOS

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS

LaTeX Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2)

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung

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Drainstrom, wenn NMOS als spannungsgesteuerte Stromquelle arbeitet Formel

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Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2

Was ist Drainstrom im MOSFET?

Der Drainstrom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit Vgs. Der Kehrwert der Steigung der logarithmischen (Ids) gegenüber der Vgs-Charakteristik wird als die Unterschwellensteigung S definiert und ist eine der kritischsten Leistungsmetriken für MOSFETs in logischen Anwendungen.

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