Drainstrom des MOSFET-Kleinsignals Taschenrechner

✖Der mittlere freie Elektronenweg gibt die durchschnittliche Entfernung an, die ein Elektron zurücklegen kann, ohne an Verunreinigungen, Beschädigungen oder anderen Hindernissen innerhalb des Festkörpergeräts zu streuen.ⓘ Mittlerer freier Elektronenweg [λ]			+10% -10%
✖Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.ⓘ Ausgangswiderstand [R_out]			+10% -10%

✖Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.ⓘ Drainstrom des MOSFET-Kleinsignals [i_d]

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Drainstrom des MOSFET-Kleinsignals Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromverbrauch = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Ausgangswiderstand)
i_d = 1/(λ*R_out)
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
Mittlerer freier Elektronenweg - Der mittlere freie Elektronenweg gibt die durchschnittliche Entfernung an, die ein Elektron zurücklegen kann, ohne an Verunreinigungen, Beschädigungen oder anderen Hindernissen innerhalb des Festkörpergeräts zu streuen.
Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Mittlerer freier Elektronenweg: 2.78 --> Keine Konvertierung erforderlich
Ausgangswiderstand: 4.5 Kiloohm --> 4500 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_d = 1/(λ*R_out) --> 1/(2.78*4500)

Auswerten ... ...

i_d = 7.99360511590727E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

7.99360511590727E-05 Ampere -->0.0799360511590727 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0799360511590727 ≈ 0.079936 Milliampere <-- Stromverbrauch

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Ausgangsspannung des Kleinsignal-P-Kanals

LaTeX Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Source-Gate-Spannung*((Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand)/(Abflusswiderstand+Ausgangswiderstand))

Kleinsignal-Spannungsverstärkung in Bezug auf den Drain-Widerstand

LaTeX Gehen Spannungsverstärkung = (Steilheit*((Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand)/(Ausgangswiderstand+Abflusswiderstand)))

Transkonduktanz bei gegebenen Kleinsignalparametern

LaTeX Gehen Steilheit = 2*Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung)

Kleinsignal-Ausgangsspannung

LaTeX Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Source-Gate-Spannung*Lastwiderstand

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Drainstrom des MOSFET-Kleinsignals Formel

LaTeX Gehen

Stromverbrauch = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Ausgangswiderstand)
i_d = 1/(λ*R_out)

Ist MOSFET eine symmetrische Vorrichtung?

MOSFET ist eine symmetrische Vorrichtung, daher lautet die Antwort ja. Wenn Sie jedoch in Ihrem Schaltungsdesign Ihren Körper an einen der Anschlüsse gebunden haben, möchten Sie, dass dieser Anschluss die Quelle ist.

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