Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten Taschenrechner

Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal)
I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y)
Diese formel verwendet 5 Variablen
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.
Breite der Kreuzung - (Gemessen in Meter) - Die Verbindungsbreite ist der Parameter, der angibt, wie breit die Basisverbindung eines analogen Elektronikelements ist.
Ladung der Inversionsschicht - (Gemessen in Coulomb pro Quadratmeter) - Unter Inversionsschichtladung versteht man die Ansammlung von Ladungsträgern an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiter und der isolierenden Oxidschicht, wenn eine Spannung an die Gate-Elektrode angelegt wird.
Beweglichkeit von Löchern im Kanal - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Beweglichkeit von Löchern im Kanal hängt von verschiedenen Faktoren ab, wie z. B. der Kristallstruktur des Halbleitermaterials, dem Vorhandensein von Verunreinigungen, der Temperatur,
Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal - (Gemessen in Volt pro Meter) - Die horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal ist die Stärke des elektrischen Feldes, das im Material unter der Gate-Oxidschicht in dem Bereich vorhanden ist, in dem die Inversionsschicht gebildet wird.

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)