✖Die Mobilität von Elektronen ist definiert als die Größe der durchschnittlichen Driftgeschwindigkeit pro elektrischer Feldeinheit.ⓘ Mobilität des Elektrons [μn] | | | +10% -10% |
✖Die Gate-Oxidkapazität ist die Fähigkeit einer Komponente oder eines Schaltkreises, Energie in Form einer elektrischen Ladung zu sammeln und zu speichern.ⓘ Gate-Oxid-Kapazität [Cox] | | | +10% -10% |
✖Die Gate-Übergangsbreite ist als die Breite des Gate-Übergangs in einem Halbleiterbauelement definiert.ⓘ Breite der Torverbindung [Wgate] | | | +10% -10% |
✖Die Gate-Länge ist einfach die physische Gate-Länge. Die Kanallänge ist der Weg, der die Ladungsträger zwischen Drain und Source verbindet.ⓘ Torlänge [Lg] | | | +10% -10% |
✖Die Gate-Source-Spannung eines Transistors ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.ⓘ Gate-Source-Spannung [Vgs] | | | +10% -10% |
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [Vth] | | | +10% -10% |
✖Die Drain-Source-Sättigungsspannung ist die Spannungsdifferenz zwischen Emitter- und Kollektoranschluss, die zum Einschalten eines MOSFET erforderlich ist.ⓘ Drain-Source-Sättigungsspannung [Vds] | | | +10% -10% |