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VLSI-Materialoptimierung
Analoges VLSI-Design
✖
Der Drain-Strom ist der Strom, der unter dem Einfluss der am Gate-Anschluss angelegten Spannung vom Source- zum Drain-Anschluss fließt.
ⓘ
Stromverbrauch [I
D
]
Ampere
Centiampere
Dezampere
Hektoampere
Mikroampere
Milliampere
Nanoampere
Picoampere
+10%
-10%
✖
Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.
ⓘ
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor [Sf]
+10%
-10%
✖
Der Drainstrom nach vollständiger Skalierung ist definiert als der Drainstromwert nach der Verringerung der MOSFET-Abmessungen durch vollständige Skalierung.
ⓘ
Drainstrom nach vollständiger Skalierung von VLSI [I
D
']
Ampere
Centiampere
Dezampere
Hektoampere
Mikroampere
Milliampere
Nanoampere
Picoampere
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Schritte
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Formel
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Herunterladen Elektronik Formel Pdf
Drainstrom nach vollständiger Skalierung von VLSI Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Entziehen Sie den Strom nach vollständiger Skalierung
=
Stromverbrauch
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
I
D
'
=
I
D
/
Sf
Diese formel verwendet
3
Variablen
Verwendete Variablen
Entziehen Sie den Strom nach vollständiger Skalierung
-
(Gemessen in Ampere)
- Der Drainstrom nach vollständiger Skalierung ist definiert als der Drainstromwert nach der Verringerung der MOSFET-Abmessungen durch vollständige Skalierung.
Stromverbrauch
-
(Gemessen in Ampere)
- Der Drain-Strom ist der Strom, der unter dem Einfluss der am Gate-Anschluss angelegten Spannung vom Source- zum Drain-Anschluss fließt.
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
- Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Stromverbrauch:
1.066 Milliampere --> 0.001066 Ampere
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor:
1.5 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
I
D
' = I
D
/Sf -->
0.001066/1.5
Auswerten ... ...
I
D
'
= 0.000710666666666667
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.000710666666666667 Ampere -->0.710666666666667 Milliampere
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.710666666666667
≈
0.710667 Milliampere
<--
Entziehen Sie den Strom nach vollständiger Skalierung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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Drainstrom nach vollständiger Skalierung von VLSI
Credits
Erstellt von
Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
<
VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner
Body-Effect-Koeffizient
LaTeX
Gehen
Körpereffektkoeffizient
=
modulus
((
Grenzspannung
-
Schwellenspannung DIBL
)/(
sqrt
(
Oberflächenpotential
+(
Potenzialdifferenz des Quellkörpers
))-
sqrt
(
Oberflächenpotential
)))
DIBL-Koeffizient
LaTeX
Gehen
DIBL-Koeffizient
= (
Schwellenspannung DIBL
-
Grenzspannung
)/
Drain-to-Source-Potenzial
Kanalladung
LaTeX
Gehen
Kanalgebühr
=
Gate-Kapazität
*(
Gate-zu-Kanal-Spannung
-
Grenzspannung
)
Kritische Spannung
LaTeX
Gehen
Kritische Spannung
=
Kritisches elektrisches Feld
*
Elektrisches Feld über die Kanallänge
Mehr sehen >>
Drainstrom nach vollständiger Skalierung von VLSI Formel
LaTeX
Gehen
Entziehen Sie den Strom nach vollständiger Skalierung
=
Stromverbrauch
/
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
I
D
'
=
I
D
/
Sf
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