Drainstrom nach vollständiger Skalierung von VLSI Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Entziehen Sie den Strom nach vollständiger Skalierung = Stromverbrauch/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
ID' = ID/Sf
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Entziehen Sie den Strom nach vollständiger Skalierung - (Gemessen in Ampere) - Der Drainstrom nach vollständiger Skalierung ist definiert als der Drainstromwert nach der Verringerung der MOSFET-Abmessungen durch vollständige Skalierung.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der unter dem Einfluss der am Gate-Anschluss angelegten Spannung vom Source- zum Drain-Anschluss fließt.
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor - Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Stromverbrauch: 1.066 Milliampere --> 0.001066 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor: 1.5 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
ID' = ID/Sf --> 0.001066/1.5
Auswerten ... ...
ID' = 0.000710666666666667
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.000710666666666667 Ampere -->0.710666666666667 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.710666666666667 0.710667 Milliampere <-- Entziehen Sie den Strom nach vollständiger Skalierung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

Body-Effect-Koeffizient
​ LaTeX ​ Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))
DIBL-Koeffizient
​ LaTeX ​ Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial
Kanalladung
​ LaTeX ​ Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)
Kritische Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Drainstrom nach vollständiger Skalierung von VLSI Formel

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Entziehen Sie den Strom nach vollständiger Skalierung = Stromverbrauch/Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
ID' = ID/Sf
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