Drainstrom des Transistors Taschenrechner

✖Die Grundspannungskomponente ist die erste Harmonische der Spannung in der harmonischen Analyse der Rechteckwelle der Spannung in einer Wechselrichterschaltung.ⓘ Grundkomponentenspannung [V_fc]			+10% -10%
✖Die gesamte momentane Drain-Spannung ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.ⓘ Gesamte momentane Entladespannung [V_d]			+10% -10%
✖Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.ⓘ Abflusswiderstand [R_d]			+10% -10%

✖Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung wird als Strom unterhalb der Schwelle definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.ⓘ Drainstrom des Transistors [i_d]

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Drainstrom des Transistors Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromverbrauch = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand
i_d = (V_fc+V_d)/R_d
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung wird als Strom unterhalb der Schwelle definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.
Grundkomponentenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Grundspannungskomponente ist die erste Harmonische der Spannung in der harmonischen Analyse der Rechteckwelle der Spannung in einer Wechselrichterschaltung.
Gesamte momentane Entladespannung - (Gemessen in Volt) - Die gesamte momentane Drain-Spannung ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.
Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Grundkomponentenspannung: 5 Volt --> 5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Gesamte momentane Entladespannung: 1.284 Volt --> 1.284 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Abflusswiderstand: 0.36 Kiloohm --> 360 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_d = (V_fc+V_d)/R_d --> (5+1.284)/360

Auswerten ... ...

i_d = 0.0174555555555556

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0174555555555556 Ampere -->17.4555555555556 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

17.4555555555556 ≈ 17.45556 Milliampere <-- Stromverbrauch

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

LaTeX Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

LaTeX Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2

Gesamte momentane Drain-Spannung

LaTeX Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch

Eingangsspannung im Transistor

LaTeX Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

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Drainstrom des Transistors Formel

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Stromverbrauch = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand
i_d = (V_fc+V_d)/R_d

Was ist die Verwendung einer Common-Gate-Schaltung?

Diese Schaltungskonfiguration wird normalerweise als Spannungsverstärker verwendet. Die Source des FET in dieser Konfiguration arbeitet als Eingang und Drain als Ausgang.

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