Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich Taschenrechner

Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter/2*(Gate-Source-Spannung-Schwellenspannung mit Zero Body Bias)^2*(1+Modulationsfaktor der Kanallänge*Drain-Quellenspannung)
I_d = β/2*(V_gs-V_th)^2*(1+λ_i*V_ds)
Diese formel verwendet 6 Variablen
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drainstrom bezieht sich auf den Strom, der während des Betriebs zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen des Transistors fließt.
Transkonduktanzparameter - (Gemessen in Siemens) - Der Transkonduktanzparameter ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung eines Geräts.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung bezieht sich auf die Potenzialdifferenz zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des Geräts. Diese Spannung spielt eine entscheidende Rolle bei der Steuerung der Leitfähigkeit des MOSFET.
Schwellenspannung mit Zero Body Bias - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung mit Zero Body Bias bezieht sich auf die Schwellenspannung, wenn keine externe Vorspannung an das Halbleitersubstrat (Body-Anschluss) angelegt wird.
Modulationsfaktor der Kanallänge - Kanallängenmodulationsfaktor, bei dem die effektive Kanallänge mit zunehmender Drain-Source-Spannung zunimmt.
Drain-Quellenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Drain-Source-Spannung ist die Spannung zwischen Drain- und Source-Anschluss.

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)