Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd Taschenrechner

✖Der Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.ⓘ Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten [k'_p]			+10% -10%
✖Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelleⓘ Seitenverhältnis [WL]			+10% -10%
✖Die Effektivspannung ist die äquivalente Gleichspannung, die bei einer ohmschen Last die gleiche Verlustleistung erzeugen würde wie die gemessene Wechselspannung.ⓘ Effektive Spannung [V_ov]			+10% -10%
✖Die Spannung zwischen Drain und Source ist ein Schlüsselparameter beim Betrieb eines Feldeffekttransistors (FET) und wird oft als „Drain-Source-Spannung“ oder VDS bezeichnet.ⓘ Spannung zwischen Drain und Source [V_DS]			+10% -10%

✖Der Drain-Strom ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.ⓘ Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd [I_d]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOSFET Formel Pdf PDF Image

Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(modulus(Effektive Spannung)-1/2*Spannung zwischen Drain und Source)*Spannung zwischen Drain und Source
I_d = k'_p*WL*(modulus(V_ov)-1/2*V_DS)*V_DS
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen

Verwendete Funktionen

modulus - Der Modul einer Zahl ist der Rest, wenn diese Zahl durch eine andere Zahl geteilt wird., modulus

Verwendete Variablen

Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.
Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten - (Gemessen in Siemens) - Der Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Seitenverhältnis - Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Effektivspannung ist die äquivalente Gleichspannung, die bei einer ohmschen Last die gleiche Verlustleistung erzeugen würde wie die gemessene Wechselspannung.
Spannung zwischen Drain und Source - (Gemessen in Volt) - Die Spannung zwischen Drain und Source ist ein Schlüsselparameter beim Betrieb eines Feldeffekttransistors (FET) und wird oft als „Drain-Source-Spannung“ oder VDS bezeichnet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Seitenverhältnis: 6 --> Keine Konvertierung erforderlich
Effektive Spannung: 2.16 Volt --> 2.16 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Spannung zwischen Drain und Source: 2.45 Volt --> 2.45 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_d = k'_p*WL*(modulus(V_ov)-1/2*V_DS)*V_DS --> 0.0021*6*(modulus(2.16)-1/2*2.45)*2.45

Auswerten ... ...

I_d = 0.02886345

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.02886345 Ampere -->28.86345 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

28.86345 Milliampere <-- Stromverbrauch

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » MOSFET » Analoge Elektronik » P-Kanal-Verbesserung » Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< P-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors

LaTeX Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*((Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))*Spannung zwischen Drain und Source-1/2*(Spannung zwischen Drain und Source)^2)

Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

LaTeX Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(modulus(Effektive Spannung)-1/2*Spannung zwischen Drain und Source)*Spannung zwischen Drain und Source

Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors

LaTeX Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))^2

Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov

LaTeX Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung)^2

Mehr sehen >>

Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd Formel

LaTeX Gehen

Was ist Drainstrom im MOSFET?

Der Drainstrom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit Vgs. Der Kehrwert der Steigung der logarithmischen (Ids) gegenüber der Vgs-Charakteristik wird als die Unterschwellensteigung S definiert und ist eine der kritischsten Leistungsmetriken für MOSFETs in logischen Anwendungen.

Wie fließt Strom in einem PMOS?

In einem NMOS sind Elektronen die Ladungsträger. Elektronen wandern also von Source zu Drain (was bedeutet, dass der Strom von Drain> Source fließt). In einem PMOS sind Löcher die Ladungsträger. Die Löcher wandern also von der Quelle zum Abfluss.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!