Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov Taschenrechner

✖Der Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.ⓘ Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten [k'_p]			+10% -10%
✖Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelleⓘ Seitenverhältnis [WL]			+10% -10%
✖Die Effektivspannung ist die äquivalente Gleichspannung, die bei einer ohmschen Last die gleiche Verlustleistung erzeugen würde wie die gemessene Wechselspannung.ⓘ Effektive Spannung [V_ov]			+10% -10%

✖Der Sättigungsdrainstrom unterhalb der Schwellenspannung wird als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.ⓘ Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov [I_ds]

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Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung)^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsdrainstrom unterhalb der Schwellenspannung wird als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.
Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten - (Gemessen in Siemens) - Der Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Seitenverhältnis - Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Effektivspannung ist die äquivalente Gleichspannung, die bei einer ohmschen Last die gleiche Verlustleistung erzeugen würde wie die gemessene Wechselspannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Seitenverhältnis: 6 --> Keine Konvertierung erforderlich
Effektive Spannung: 2.16 Volt --> 2.16 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2 --> 1/2*0.0021*6*(2.16)^2

Auswerten ... ...

I_ds = 0.02939328

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.02939328 Ampere -->29.39328 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

29.39328 Milliampere <-- Sättigungsstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors

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Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

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Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors

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Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov

LaTeX Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung)^2

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Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov Formel

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Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung)^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2

Was ist Drainstrom im MOSFET?

Der Drainstrom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit Vgs. Der Kehrwert der Steigung der logarithmischen (Ids) gegenüber der Vgs-Charakteristik wird als die Unterschwellensteigung S definiert und ist eine der kritischsten Leistungsmetriken für MOSFETs in logischen Anwendungen.

Wie fließt Strom in einem PMOS?

In einem NMOS sind Elektronen die Ladungsträger. Elektronen wandern also von Source zu Drain (was bedeutet, dass der Strom von Drain> Source fließt). In einem PMOS befinden sich die Ladungsträger1. Die Löcher wandern also von der Quelle zum Abfluss.

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