Drainstrom bei gegebener Prozesstranskonduktanz und Transkonduktanz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Stromverbrauch = Steilheit^2/(2*Seitenverhältnis*Transkonduktanzparameter verarbeiten)
id = gm^2/(2*WL*k'n)
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Seitenverhältnis - Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle
Transkonduktanzparameter verarbeiten - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Seitenverhältnis: 0.1 --> Keine Konvertierung erforderlich
Transkonduktanzparameter verarbeiten: 0.015 Ampere pro Quadratvolt --> 0.015 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
id = gm^2/(2*WL*k'n) --> 0.0005^2/(2*0.1*0.015)
Auswerten ... ...
id = 8.33333333333333E-05
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
8.33333333333333E-05 Ampere -->0.0833333333333333 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.0833333333333333 0.083333 Milliampere <-- Stromverbrauch
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Anshika Arya
Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur
Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

Steilheit Taschenrechner

Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter
​ LaTeX ​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
Steilheit bei gegebenem Drain-Strom
​ LaTeX ​ Gehen Steilheit = sqrt(2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)
Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage
​ LaTeX ​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung
Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten
​ LaTeX ​ Gehen Stromverbrauch = (Overdrive-Spannung)*Steilheit/2

Drainstrom bei gegebener Prozesstranskonduktanz und Transkonduktanz Formel

​LaTeX ​Gehen
Stromverbrauch = Steilheit^2/(2*Seitenverhältnis*Transkonduktanzparameter verarbeiten)
id = gm^2/(2*WL*k'n)

Was ist die Verwendung der Transkonduktanz in MOSFET?

Die Transkonduktanz ist ein Ausdruck der Leistung eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors (FET). Im Allgemeinen ist die Verstärkung (Verstärkung), die es liefern kann, umso größer, je größer die Transkonduktanzzahl für ein Gerät ist, wenn alle anderen Faktoren konstant gehalten werden.

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