Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Stromverbrauch = (Kanalbreite/Kanallänge)*Elektronenmobilität*Oxidkapazität*int((Gate-Source-Spannung-x-Grenzspannung),x,0,Drain-Quellenspannung)
ID = (W/L)*μn*Cox*int((VGS-x-VT),x,0,VDS)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 8 Variablen
Verwendete Funktionen
int - Mit dem bestimmten Integral kann die Nettofläche mit Vorzeichen berechnet werden. Dabei handelt es sich um die Fläche oberhalb der x-Achse abzüglich der Fläche unterhalb der x-Achse., int(expr, arg, from, to)
Verwendete Variablen
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der vom Drain-Anschluss zum Source-Anschluss fließt und durch die am Gate angelegte Spannung gesteuert wird.
Kanalbreite - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite stellt die Breite des leitenden Kanals innerhalb eines MOSFET dar und wirkt sich direkt auf die Strommenge aus, die er verarbeiten kann.
Kanallänge - (Gemessen in Meter) - Die Kanallänge in einem MOSFET ist der Abstand zwischen den Source- und Drain-Bereichen. Sie bestimmt, wie leicht der Strom fließt und wirkt sich auf die Transistorleistung aus.
Elektronenmobilität - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Elektronenmobilität in MOSFET beschreibt, wie leicht sich Elektronen durch den Kanal bewegen können, was sich direkt auf den Stromfluss bei einer bestimmten Spannung auswirkt.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität bezeichnet die Kapazität, die mit der isolierenden Oxidschicht in einer Metall-Oxid-Halbleiterstruktur (MOS) wie beispielsweise in MOSFETs verbunden ist.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist die Spannung, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MOSFET angelegt wird.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung ist die minimale Gate-Source-Spannung, die in einem MOSFET erforderlich ist, um ihn „einzuschalten“ und einen signifikanten Stromfluss zu ermöglichen.
Drain-Quellenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Drain-Source-Spannung ist die zwischen Drain- und Source-Anschluss angelegte Spannung.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Kanalbreite: 2.678 Meter --> 2.678 Meter Keine Konvertierung erforderlich
Kanallänge: 3.45 Meter --> 3.45 Meter Keine Konvertierung erforderlich
Elektronenmobilität: 9.92 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 9.92 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Oxidkapazität: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Spannung: 29.65 Volt --> 29.65 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Drain-Quellenspannung: 45 Volt --> 45 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
ID = (W/L)*μn*Cox*int((VGS-x-VT),x,0,VDS) --> (2.678/3.45)*9.92*3.9*int((29.65-x-5.91),x,0,45)
Auswerten ... ...
ID = 1675.72193947826
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1675.72193947826 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1675.72193947826 1675.722 Ampere <-- Stromverbrauch
(Berechnung in 00.005 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Vignesh Naidu
Vellore Institut für Technologie (VIT), Vellore, Tamil Nadu
Vignesh Naidu hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta
Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

MOS-Transistor Taschenrechner

Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
​ LaTeX ​ Gehen Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung = -(2*sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen)/(Endspannung-Anfangsspannung)*(sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Endspannung)-sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Anfangsspannung)))
Fermipotential für P-Typ
​ LaTeX ​ Gehen Fermipotential für P-Typ = ([BoltZ]*Absolute Temperatur)/[Charge-e]*ln(Intrinsische Trägerkonzentration/Dopingkonzentration des Akzeptors)
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
​ LaTeX ​ Gehen Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität = Umfang der Seitenwand*Seitenwandübergangskapazität*Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit
​ LaTeX ​ Gehen Seitenwandübergangskapazität = Null-Bias-Seitenwandübergangspotential*Tiefe der Seitenwand

Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor Formel

​LaTeX ​Gehen
Stromverbrauch = (Kanalbreite/Kanallänge)*Elektronenmobilität*Oxidkapazität*int((Gate-Source-Spannung-x-Grenzspannung),x,0,Drain-Quellenspannung)
ID = (W/L)*μn*Cox*int((VGS-x-VT),x,0,VDS)
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