Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung des VLSI Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung = Spenderkonzentration*Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
ND' = ND*Sf
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Donorkonzentration nach der vollständigen Skalierung könnte eine Überlegung darüber implizieren, wie die Konzentration der Donorverunreinigungen durch die Verkleinerung der Transistorabmessungen beeinflusst wird.
Spenderkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Donorkonzentration versteht man die Konzentration von Donator-Dotierstoffatomen, die in ein Halbleitermaterial eingebracht werden, um die Anzahl freier Elektronen zu erhöhen.
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor - Der Skalierungsfaktor ist definiert als das Verhältnis, um das sich die Abmessungen des Transistors während des Designprozesses ändern.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Spenderkonzentration: 1E+17 1 pro Kubikzentimeter --> 1E+23 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor: 1.5 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
ND' = ND*Sf --> 1E+23*1.5
Auswerten ... ...
ND' = 1.5E+23
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.5E+23 1 pro Kubikmeter -->1.5E+17 1 pro Kubikzentimeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.5E+17 1 pro Kubikzentimeter <-- Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

Body-Effect-Koeffizient
​ LaTeX ​ Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))
DIBL-Koeffizient
​ LaTeX ​ Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial
Kanalladung
​ LaTeX ​ Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)
Kritische Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung des VLSI Formel

​LaTeX ​Gehen
Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung = Spenderkonzentration*Vergößerungsfaktor, Verkleinerungsfaktor
ND' = ND*Sf
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