Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker Taschenrechner

Differenzgewinn = Transkonduktanz*(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)+(1/(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung))))
A_d = g_m*(1/(β*R'₁)+(1/(1/(β*R'₂))))
Diese formel verwendet 5 Variablen
Differenzgewinn - Differenzverstärkung ist die Verstärkung des Verstärkers, wenn ein Differenzeingang gespeist wird, d. h. Eingang 1 ist nicht gleich Eingang 2.
Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist die Änderung des Drain-Stroms dividiert durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Gemeinsame Emitterstromverstärkung - Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird stark von zwei Faktoren beeinflusst: der Breite des Basisbereichs W und der relativen Dotierung des Basisbereichs und des Emitterbereichs.
Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung - (Gemessen in Ohm) - Der Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung eines MOSFET ist der Widerstand gegen den durch ihn fließenden Strom. Dies hängt vom spezifischen MOSFET-Design und den Betriebsbedingungen ab.
Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung - (Gemessen in Ohm) - Der Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung eines MOSFET ist der Widerstand gegen den durch ihn fließenden Strom. Dies hängt vom spezifischen MOSFET-Design und den Betriebsbedingungen ab.

(Berechnung in 00.021 sekunden abgeschlossen)