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VLSI-Materialoptimierung Analoges VLSI-Design

✖Die Schwellenspannung dibl ist definiert als die Mindestspannung, die der Source-Übergang des Body-Potentials benötigt, wenn die Source auf Body-Potential liegt.ⓘ Schwellenspannung DIBL [V_t0]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%
✖Drain-Source-Potenzial ist das Potenzial zwischen Drain und Source.ⓘ Drain-to-Source-Potenzial [V_ds]			+10% -10%

✖Der DIBL-Koeffizient in einem CMOS-Gerät liegt typischerweise in der Größenordnung von 0,1.ⓘ DIBL-Koeffizient [η]

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Formel

✖

DIBL-Koeffizient

Formel

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Beispiel

0.2 = \frac{0.59 V - 0.3 V}{1.45 V}

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DIBL-Koeffizient Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial
η = (V_t0-V_t)/V_ds
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

DIBL-Koeffizient - Der DIBL-Koeffizient in einem CMOS-Gerät liegt typischerweise in der Größenordnung von 0,1.
Schwellenspannung DIBL - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung dibl ist definiert als die Mindestspannung, die der Source-Übergang des Body-Potentials benötigt, wenn die Source auf Body-Potential liegt.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.
Drain-to-Source-Potenzial - (Gemessen in Volt) - Drain-Source-Potenzial ist das Potenzial zwischen Drain und Source.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Schwellenspannung DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Drain-to-Source-Potenzial: 1.45 Volt --> 1.45 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

η = (V_t0-V_t)/V_ds --> (0.59-0.3)/1.45

Auswerten ... ...

η = 0.2

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.2 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.2 <-- DIBL-Koeffizient

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Body-Effect-Koeffizient

Gehen Körpereffektkoeffizient = modulus((Grenzspannung-Schwellenspannung DIBL)/(sqrt(Oberflächenpotential+(Potenzialdifferenz des Quellkörpers))-sqrt(Oberflächenpotential)))

DIBL-Koeffizient

Gehen DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial

Kanalladung

Gehen Kanalgebühr = Gate-Kapazität*(Gate-zu-Kanal-Spannung-Grenzspannung)

Kritische Spannung

Gehen Kritische Spannung = Kritisches elektrisches Feld*Elektrisches Feld über die Kanallänge

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DIBL-Koeffizient Formel

DIBL-Koeffizient = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/Drain-to-Source-Potenzial
η = (V_t0-V_t)/V_ds

Was ist die Bedeutung von Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL)?

Die Drain-Spannung Vds erzeugt ein elektrisches Feld, das die Schwellenspannung beeinflusst. Dieser Effekt der Drain-induzierten Barrieresenkung (DIBL) ist bei Kurzkanaltransistoren besonders ausgeprägt. Drain-induziertes Absenken der Barriere bewirkt, dass Ids mit Vds in Sättigung zunimmt, ähnlich wie es die Kanallängenmodulation tut. Dieser Effekt kann in eine kleinere Early-Spannung VA zusammengefasst werden. Auch dies ist ein Fluch für analoges Design, aber unbedeutend für die meisten digitalen Schaltungen. Noch wichtiger ist, dass DIBL den unterschwelligen Leckstrom bei hohen Vds erhöht.

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