Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion Taschenrechner

✖Das eingebaute Verbindungspotential bezieht sich auf die Potenzialdifferenz oder Spannung, die an einem Halbleiterübergang anliegt, wenn dieser nicht an eine externe Spannungsquelle angeschlossen ist.ⓘ Eingebautes Verbindungspotential [Φ_o]			+10% -10%
✖Die Drain-Source-Spannung ist die zwischen Drain- und Source-Anschluss angelegte Spannung.ⓘ Drain-Quellenspannung [V_DS]			+10% -10%
✖Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.ⓘ Dopingkonzentration des Akzeptors [N_A]			+10% -10%

✖Der Bereich der Verarmungstiefe des Drains ist der Verarmungsbereich, der sich in der Nähe des Drain-Anschlusses bildet, wenn eine Spannung an den Gate-Anschluss angelegt wird.ⓘ Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion [x_dD]

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Formel

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Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion

Formel

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (Φ o + V DS)}{[Charge-e] \cdot N A}}

Beispiel

7.2E+7 m = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (2 V + 45 V)}{[Charge-e] \cdot 1.32 electrons/cm³}}

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Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Region der Erschöpfungstiefe von Drain = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Eingebautes Verbindungspotential+Drain-Quellenspannung))/([Charge-e]*Dopingkonzentration des Akzeptors))
x_dD = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ_o+V_DS))/([Charge-e]*N_A))
Diese formel verwendet 2 Konstanten, 1 Funktionen, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Region der Erschöpfungstiefe von Drain - (Gemessen in Meter) - Der Bereich der Verarmungstiefe des Drains ist der Verarmungsbereich, der sich in der Nähe des Drain-Anschlusses bildet, wenn eine Spannung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
Eingebautes Verbindungspotential - (Gemessen in Volt) - Das eingebaute Verbindungspotential bezieht sich auf die Potenzialdifferenz oder Spannung, die an einem Halbleiterübergang anliegt, wenn dieser nicht an eine externe Spannungsquelle angeschlossen ist.
Drain-Quellenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Drain-Source-Spannung ist die zwischen Drain- und Source-Anschluss angelegte Spannung.
Dopingkonzentration des Akzeptors - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Eingebautes Verbindungspotential: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Drain-Quellenspannung: 45 Volt --> 45 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Dopingkonzentration des Akzeptors: 1.32 Elektronen pro Kubikzentimeter --> 1320000 Elektronen pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

x_dD = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ_o+V_DS))/([Charge-e]*N_A)) --> sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(2+45))/([Charge-e]*1320000))

Auswerten ... ...

x_dD = 72113188.282716

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

72113188.282716 Meter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

72113188.282716 ≈ 7.2E+7 Meter <-- Region der Erschöpfungstiefe von Drain

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

Gehen Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung = -(2*sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen)/(Endspannung-Anfangsspannung)*(sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Endspannung)-sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Anfangsspannung)))

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