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Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion Taschenrechner
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✖
Das eingebaute Verbindungspotential bezieht sich auf die Potenzialdifferenz oder Spannung, die an einem Halbleiterübergang anliegt, wenn dieser nicht an eine externe Spannungsquelle angeschlossen ist.
ⓘ
Eingebautes Verbindungspotential [Φ
o
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
+10%
-10%
✖
Die Drain-Source-Spannung ist die zwischen Drain- und Source-Anschluss angelegte Spannung.
ⓘ
Drain-Quellenspannung [V
DS
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
+10%
-10%
✖
Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.
ⓘ
Dopingkonzentration des Akzeptors [N
A
]
Elektronen pro Kubikzentimeter
Elektronen pro Kubikmeter
+10%
-10%
✖
Der Bereich der Verarmungstiefe des Drains ist der Verarmungsbereich, der sich in der Nähe des Drain-Anschlusses bildet, wenn eine Spannung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
ⓘ
Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion [x
dD
]
Angström
Astronomische Einheit
Zentimeter
Dezimeter
Erdäquatorialradius
Fermi
Versfuß
Inch
Kilometer
Lichtjahr
Meter
Mikrozoll
Mikrometer
Mikron
Meile
Millimeter
Nanometer
Picometer
Yard
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Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Region der Erschöpfungstiefe von Drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Eingebautes Verbindungspotential
+
Drain-Quellenspannung
))/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
x
dD
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Φ
o
+
V
DS
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
Diese formel verwendet
2
Konstanten
,
1
Funktionen
,
4
Variablen
Verwendete Konstanten
[Permitivity-silicon]
- Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Charge-e]
- Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
Verwendete Funktionen
sqrt
- Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
Verwendete Variablen
Region der Erschöpfungstiefe von Drain
-
(Gemessen in Meter)
- Der Bereich der Verarmungstiefe des Drains ist der Verarmungsbereich, der sich in der Nähe des Drain-Anschlusses bildet, wenn eine Spannung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
Eingebautes Verbindungspotential
-
(Gemessen in Volt)
- Das eingebaute Verbindungspotential bezieht sich auf die Potenzialdifferenz oder Spannung, die an einem Halbleiterübergang anliegt, wenn dieser nicht an eine externe Spannungsquelle angeschlossen ist.
Drain-Quellenspannung
-
(Gemessen in Volt)
- Die Drain-Source-Spannung ist die zwischen Drain- und Source-Anschluss angelegte Spannung.
Dopingkonzentration des Akzeptors
-
(Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter)
- Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Eingebautes Verbindungspotential:
2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Drain-Quellenspannung:
45 Volt --> 45 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Dopingkonzentration des Akzeptors:
1.32 Elektronen pro Kubikzentimeter --> 1320000 Elektronen pro Kubikmeter
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
x
dD
= sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ
o
+V
DS
))/([Charge-e]*N
A
)) -->
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(2+45))/(
[Charge-e]
*1320000))
Auswerten ... ...
x
dD
= 72113188.282716
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
72113188.282716 Meter --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
72113188.282716
≈
7.2E+7 Meter
<--
Region der Erschöpfungstiefe von Drain
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)
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Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion
Credits
Erstellt von
Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(HITK)
,
Kalkutta
Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
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MOS-Transistor Taschenrechner
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
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Gehen
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
= -(2*
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
)/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
)*(
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Endspannung
)-
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Anfangsspannung
)))
Fermipotential für P-Typ
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Fermipotential für P-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsische Trägerkonzentration
/
Dopingkonzentration des Akzeptors
)
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
LaTeX
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Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
=
Umfang der Seitenwand
*
Seitenwandübergangskapazität
*
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit
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Seitenwandübergangskapazität
=
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
*
Tiefe der Seitenwand
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Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion Formel
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Gehen
Region der Erschöpfungstiefe von Drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Eingebautes Verbindungspotential
+
Drain-Quellenspannung
))/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
x
dD
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Φ
o
+
V
DS
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
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