KGV von zwei zahlen

Tiefenschärfe Taschenrechner

Maschinenbau Chemie Finanz Gesundheit Mehr >>

↳

Elektronik Bürgerlich Chemieingenieurwesen Elektrisch Mehr >>

⤿

Integrierte Schaltkreise (IC)Analoge Elektronik Analoge Kommunikation Antenne und Wellenausbreitung Mehr >>

⤿

MOS-IC-Herstellung Bipolare IC-Herstellung Schmitt-Trigger

✖Der Proportionalitätsfaktor ist eine Konstante, die zwei Schlüsselparameter in Beziehung setzt: die kritische Dimension (CD) und die Expositionsdosis.ⓘ Proportionalitätsfaktor [k₂]			+10% -10%
✖Unter Wellenlänge in der Fotolithographie versteht man den spezifischen Bereich elektromagnetischer Strahlung, der zur Strukturierung von Halbleiterwafern während des Halbleiterherstellungsprozesses verwendet wird.ⓘ Wellenlänge in der Fotolithographie [λ_l]			+10% -10%
✖Die numerische Apertur eines optischen Systems ist ein Parameter, der in der Optik verwendet wird, um die Leistungsfähigkeit eines optischen Systems zu beschreiben. Im Kontext der Halbleiterfertigung und Fotolithographie.ⓘ Numerische Apertur [NA]			+10% -10%

✖Die Fokustiefe ist ein kritischer Parameter, der die Toleranz gegenüber Abweichungen in der Höhe des Halbleiterwafers beeinflusst.ⓘ Tiefenschärfe [DOF]

⎘ Kopie

👎

Formel

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOS-IC-Herstellung Formeln Pdf PDF Image

Tiefenschärfe Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Tiefenschärfe = Proportionalitätsfaktor*Wellenlänge in der Fotolithographie/(Numerische Apertur^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Tiefenschärfe - (Gemessen in Meter) - Die Fokustiefe ist ein kritischer Parameter, der die Toleranz gegenüber Abweichungen in der Höhe des Halbleiterwafers beeinflusst.
Proportionalitätsfaktor - Der Proportionalitätsfaktor ist eine Konstante, die zwei Schlüsselparameter in Beziehung setzt: die kritische Dimension (CD) und die Expositionsdosis.
Wellenlänge in der Fotolithographie - (Gemessen in Meter) - Unter Wellenlänge in der Fotolithographie versteht man den spezifischen Bereich elektromagnetischer Strahlung, der zur Strukturierung von Halbleiterwafern während des Halbleiterherstellungsprozesses verwendet wird.
Numerische Apertur - Die numerische Apertur eines optischen Systems ist ein Parameter, der in der Optik verwendet wird, um die Leistungsfähigkeit eines optischen Systems zu beschreiben. Im Kontext der Halbleiterfertigung und Fotolithographie.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Proportionalitätsfaktor: 3 --> Keine Konvertierung erforderlich
Wellenlänge in der Fotolithographie: 223 Nanometer --> 2.23E-07 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Numerische Apertur: 0.717 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

DOF = k₂*λ_l/(NA^2) --> 3*2.23E-07/(0.717^2)

Auswerten ... ...

DOF = 1.30133109247621E-06

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.30133109247621E-06 Meter -->1.30133109247621 Mikrometer (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.30133109247621 ≈ 1.301331 Mikrometer <-- Tiefenschärfe

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Integrierte Schaltkreise (IC) » MOS-IC-Herstellung » Tiefenschärfe

Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< MOS-IC-Herstellung Taschenrechner

Körpereffekt im MOSFET

LaTeX Gehen Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))

Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich

LaTeX Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter/2*(Gate-Source-Spannung-Schwellenspannung mit Zero Body Bias)^2*(1+Modulationsfaktor der Kanallänge*Drain-Quellenspannung)

Kanalwiderstand

LaTeX Gehen Kanalwiderstand = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte)

MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

LaTeX Gehen Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)

Mehr sehen >>