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N-Kanal-Verbesserung
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Stromspannung
Verstärkungsfaktor oder Gewinn
Voreingenommenheit
Widerstand
✖
Das eingebaute Verbindungspotential bezieht sich auf die Potenzialdifferenz oder Spannung, die an einem Halbleiterübergang anliegt, wenn dieser nicht an eine externe Spannungsquelle angeschlossen ist.
ⓘ
Eingebautes Verbindungspotential [Φ
o
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Die Drain-Source-Spannung ist die zwischen Drain- und Source-Anschluss angelegte Spannung.
ⓘ
Drain-Quellenspannung [V
DS
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.
ⓘ
Dopingkonzentration des Akzeptors [N
A
]
Elektronen pro Kubikangström
Elektronen pro Kubikatometer
Elektronen pro Kubikzentimeter
Elektronen pro Kubikfemtometer
Elektronen pro Kubikmeter
Elektronen pro Kubikmikrometer
Elektronen pro Kubikmillimeter
Elektronen pro Kubiknanometer
Elektronen pro Kubikpikometer
+10%
-10%
✖
Der Bereich der Verarmungstiefe des Drains ist der Verarmungsbereich, der sich in der Nähe des Drain-Anschlusses bildet, wenn eine Spannung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
ⓘ
Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion [x
dD
]
Aln
Angström
Arpent
Astronomische Einheit
Attometer
AU Länge
Gerstenkorn
Billion Licht Jahr
Bohr Radius
Kabel (International)
Kabel (Vereinigtes Königreich)
Kabel (Vereinigte Staaten)
Kaliber
Zentimeter
Kette
Elle (Griechisch)
Elle (lang)
Elle (UK)
Dekameter
Dezimeter
Erde Entfernung vom Mond
Entfernung der Erde von der Sonne
Erdäquatorialradius
Polarradius der Erde
Elektronenradius (klassisch)
Ell
Prüfer
Famn
Ergründen
Femtometer
Fermi
Finger (Stoff)
fingerbreadth
Versfuß
Versfuß (US Umfrage)
Achtelmeile
Gigameter
Hand
Handbreit
Hektometer
Inch
Ken
Kilometer
Kiloparsec
Kiloyard
Liga
Liga (Statut)
Lichtjahr
Link
Megameter
Megaparsec
Meter
Mikrozoll
Mikrometer
Mikron
mil
Meile
Meile (römisch)
Meile (US Umfrage)
Millimeter
Million Licht Jahr
Nagel (Stoff)
Nanometer
Nautische Liga (int)
Nautische Liga Großbritannien
Nautische Meile (International)
Nautische Meile (UK)
Parsec
Barsch
Petameter
Pica
Picometer
Planck Länge
Punkt
Pole
Quartal
Reed
Schilf (lang)
Stange
Römischen Actus
Seil
Russischen Archin
Spanne (Stoff)
Sonnenradius
Terrameter
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tharea
Yard
Yoctometer
Yottameter
Zeptometer
Zettameter
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Formel
✖
Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion
Formel
`"x"_{"dD"} = sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*("Φ"_{"o"}+"V"_{"DS"}))/("[Charge-e]"*"N"_{"A"}))`
Beispiel
`"7.2E^7m"=sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*("2V"+"45V"))/("[Charge-e]"*"1.32electrons/cm³"))`
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Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Region der Erschöpfungstiefe von Drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Eingebautes Verbindungspotential
+
Drain-Quellenspannung
))/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
x
dD
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Φ
o
+
V
DS
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
Diese formel verwendet
2
Konstanten
,
1
Funktionen
,
4
Variablen
Verwendete Konstanten
[Permitivity-silicon]
- Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Charge-e]
- Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
Verwendete Funktionen
sqrt
- Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
Verwendete Variablen
Region der Erschöpfungstiefe von Drain
-
(Gemessen in Meter)
- Der Bereich der Verarmungstiefe des Drains ist der Verarmungsbereich, der sich in der Nähe des Drain-Anschlusses bildet, wenn eine Spannung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
Eingebautes Verbindungspotential
-
(Gemessen in Volt)
- Das eingebaute Verbindungspotential bezieht sich auf die Potenzialdifferenz oder Spannung, die an einem Halbleiterübergang anliegt, wenn dieser nicht an eine externe Spannungsquelle angeschlossen ist.
Drain-Quellenspannung
-
(Gemessen in Volt)
- Die Drain-Source-Spannung ist die zwischen Drain- und Source-Anschluss angelegte Spannung.
Dopingkonzentration des Akzeptors
-
(Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter)
- Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Eingebautes Verbindungspotential:
2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Drain-Quellenspannung:
45 Volt --> 45 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Dopingkonzentration des Akzeptors:
1.32 Elektronen pro Kubikzentimeter --> 1320000 Elektronen pro Kubikmeter
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
x
dD
= sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ
o
+V
DS
))/([Charge-e]*N
A
)) -->
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(2+45))/(
[Charge-e]
*1320000))
Auswerten ... ...
x
dD
= 72113188.282716
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
72113188.282716 Meter --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
72113188.282716
≈
7.2E+7 Meter
<--
Region der Erschöpfungstiefe von Drain
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion
Credits
Erstellt von
Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(HITK)
,
Kalkutta
Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
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21 MOS-Transistor Taschenrechner
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Gehen
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
= -(2*
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
)/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
)*(
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Endspannung
)-
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Anfangsspannung
)))
Ziehen Sie den Strom im linearen Bereich herunter
Gehen
Pulldown-Strom im linearen Bereich
=
sum
(x,0,
Anzahl paralleler Treibertransistoren
,(
Elektronenmobilität
*
Oxidkapazität
/2)*(
Kanalbreite
/
Kanallänge
)*(2*(
Gate-Source-Spannung
-
Grenzspannung
)*
Ausgangsspannung
-
Ausgangsspannung
^2))
Knotenspannung bei gegebener Instanz
Gehen
Knotenspannung bei gegebener Instanz
= (
Transkonduktanzfaktor
/
Knotenkapazität
)*
int
(
exp
(-(1/(
Knotenwiderstand
*
Knotenkapazität
))*(
Zeitraum
-x))*
In den Knoten fließender Strom
*x,x,0,
Zeitraum
)
Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich
Gehen
Sättigungsbereich Pulldown-Strom
=
sum
(x,0,
Anzahl paralleler Treibertransistoren
,(
Elektronenmobilität
*
Oxidkapazität
/2)*(
Kanalbreite
/
Kanallänge
)*(
Gate-Source-Spannung
-
Grenzspannung
)^2)
Sättigungszeit
Gehen
Sättigungszeit
= -2*
Ladekapazität
/(
Transkonduktanz-Prozessparameter
*(
Hohe Ausgangsspannung
-
Grenzspannung
)^2)*
int
(1,x,
Hohe Ausgangsspannung
,
Hohe Ausgangsspannung
-
Grenzspannung
)
Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet
Gehen
Linearer Bereich in der Zeitverzögerung
= -2*
Sperrschichtkapazität
*
int
(1/(
Transkonduktanz-Prozessparameter
*(2*(
Eingangsspannung
-
Grenzspannung
)*x-x^2)),x,
Anfangsspannung
,
Endspannung
)
Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor
Gehen
Stromverbrauch
= (
Kanalbreite
/
Kanallänge
)*
Elektronenmobilität
*
Oxidkapazität
*
int
((
Gate-Source-Spannung
-x-
Grenzspannung
),x,0,
Drain-Quellenspannung
)
Ladungsdichte im Verarmungsbereich
Gehen
Dichte der Sperrschichtladung
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
*
modulus
(
Oberflächenpotential
-
Bulk-Fermi-Potenzial
)))
Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion
Gehen
Region der Erschöpfungstiefe von Drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Eingebautes Verbindungspotential
+
Drain-Quellenspannung
))/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
Drainstrom im Sättigungsbereich im MOS-Transistor
Gehen
Drainstrom im Sättigungsbereich
=
Kanalbreite
*
Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit
*
int
(
Aufladen
*
Kurzkanalparameter
,x,0,
Effektive Kanallänge
)
Maximale Erschöpfungstiefe
Gehen
Maximale Erschöpfungstiefe
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Bulk-Fermi-Potenzial
))/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
Fermipotential für P-Typ
Gehen
Fermipotential für P-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsische Trägerkonzentration
/
Dopingkonzentration des Akzeptors
)
Fermipotential für N-Typ
Gehen
Fermipotential für N-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Donator-Dotierstoffkonzentration
/
Intrinsische Trägerkonzentration
)
Eingebautes Potenzial in der Erschöpfungsregion
Gehen
Eingebaute Spannung
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
*
modulus
(-2*
Bulk-Fermi-Potenzial
)))
Mit der Quelle verbundene Tiefe der Erschöpfungsregion
Gehen
Region der Erschöpfungstiefe der Quelle
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Eingebautes Verbindungspotential
)/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
Äquivalente Großsignalkapazität
Gehen
Äquivalente Großsignalkapazität
= (1/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
))*
int
(
Sperrschichtkapazität
*x,x,
Anfangsspannung
,
Endspannung
)
Substrat-Vorspannungskoeffizient
Gehen
Substrat-Vorspannungskoeffizient
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
)/
Oxidkapazität
Durchschnittliche Verlustleistung über einen bestimmten Zeitraum
Gehen
Durchschnittliche Kraft
= (1/
Gesamtzeitaufwand
)*
int
(
Stromspannung
*
Aktuell
,x,0,
Gesamtzeitaufwand
)
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
Gehen
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
=
Umfang der Seitenwand
*
Seitenwandübergangskapazität
*
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Arbeitsfunktion im MOSFET
Gehen
Arbeitsfuntkion
=
Vakuumniveau
+(
Energieniveau des Leitungsbandes
-
Fermi-Level
)
Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit
Gehen
Seitenwandübergangskapazität
=
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
*
Tiefe der Seitenwand
Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion Formel
Region der Erschöpfungstiefe von Drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Eingebautes Verbindungspotential
+
Drain-Quellenspannung
))/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
x
dD
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Φ
o
+
V
DS
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
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