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Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.
ⓘ
Dopingkonzentration des Akzeptors [N
A
]
Elektronen pro Kubikzentimeter
Elektronen pro Kubikmeter
+10%
-10%
✖
Oberflächenpotential ist das elektrische Potential an der Oberfläche des Halbleiters, insbesondere an der Grenzfläche zwischen Halbleiter und Isolator.
ⓘ
Oberflächenpotential [Φ
s
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
+10%
-10%
✖
Das Bulk-Fermi-Potenzial ist ein Parameter, der das elektrostatische Potential in der Masse (im Inneren) eines Halbleitermaterials beschreibt.
ⓘ
Bulk-Fermi-Potenzial [Φ
f
]
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Planck Spannung
Volt
+10%
-10%
✖
Die Ladungsdichte der Verarmungsschicht ist die Menge dieser festen Ladungen pro Flächeneinheit innerhalb der Verarmungsregion.
ⓘ
Ladungsdichte im Verarmungsbereich [Q
d
]
Elektronen pro Kubikzentimeter
Elektronen pro Kubikmeter
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
Ladungsdichte im Verarmungsbereich
Formel
Q
d
=
(
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
N
A
⋅
mod
u
̲
s
(
Φ
s
-
Φ
f
)
)
Beispiel
1.6E-6 electrons/m³
=
(
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
1.32 electrons/cm³
⋅
mod
u
̲
s
(
0.78 V
-
0.25 V
)
)
Taschenrechner
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Herunterladen MOSFET Formel Pdf
Ladungsdichte im Verarmungsbereich Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Dichte der Sperrschichtladung
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
*
modulus
(
Oberflächenpotential
-
Bulk-Fermi-Potenzial
)))
Q
d
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
*
modulus
(
Φ
s
-
Φ
f
)))
Diese formel verwendet
2
Konstanten
,
2
Funktionen
,
4
Variablen
Verwendete Konstanten
[Permitivity-silicon]
- Permittivität von Silizium Wert genommen als 11.7
[Charge-e]
- Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
Verwendete Funktionen
sqrt
- Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
modulus
- Der Modul einer Zahl ist der Rest, wenn diese Zahl durch eine andere Zahl geteilt wird., modulus
Verwendete Variablen
Dichte der Sperrschichtladung
-
(Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter)
- Die Ladungsdichte der Verarmungsschicht ist die Menge dieser festen Ladungen pro Flächeneinheit innerhalb der Verarmungsregion.
Dopingkonzentration des Akzeptors
-
(Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter)
- Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.
Oberflächenpotential
-
(Gemessen in Volt)
- Oberflächenpotential ist das elektrische Potential an der Oberfläche des Halbleiters, insbesondere an der Grenzfläche zwischen Halbleiter und Isolator.
Bulk-Fermi-Potenzial
-
(Gemessen in Volt)
- Das Bulk-Fermi-Potenzial ist ein Parameter, der das elektrostatische Potential in der Masse (im Inneren) eines Halbleitermaterials beschreibt.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Dopingkonzentration des Akzeptors:
1.32 Elektronen pro Kubikzentimeter --> 1320000 Elektronen pro Kubikmeter
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Oberflächenpotential:
0.78 Volt --> 0.78 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Bulk-Fermi-Potenzial:
0.25 Volt --> 0.25 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Q
d
= (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N
A
*modulus(Φ
s
-Φ
f
))) -->
(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*1320000*
modulus
(0.78-0.25)))
Auswerten ... ...
Q
d
= 1.61952637096272E-06
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.61952637096272E-06 Elektronen pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.61952637096272E-06
≈
1.6E-6 Elektronen pro Kubikmeter
<--
Dichte der Sperrschichtladung
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)
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Ladungsdichte im Verarmungsbereich
Credits
Erstellt von
Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(HITK)
,
Kalkutta
Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
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MOS-Transistor Taschenrechner
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Gehen
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
= -(2*
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
)/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
)*(
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Endspannung
)-
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Anfangsspannung
)))
Fermipotential für P-Typ
Gehen
Fermipotential für P-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsische Trägerkonzentration
/
Dopingkonzentration des Akzeptors
)
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
Gehen
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
=
Umfang der Seitenwand
*
Seitenwandübergangskapazität
*
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit
Gehen
Seitenwandübergangskapazität
=
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
*
Tiefe der Seitenwand
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Ladungsdichte im Verarmungsbereich Formel
Dichte der Sperrschichtladung
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
*
modulus
(
Oberflächenpotential
-
Bulk-Fermi-Potenzial
)))
Q
d
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
*
modulus
(
Φ
s
-
Φ
f
)))
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