✖Die gesättigte Driftgeschwindigkeit ist die maximale Geschwindigkeit, die sich in einem Ladungsträger eines Halbleiters ausbreiten kann.ⓘ Gesättigte Driftgeschwindigkeit [Vs] | | | +10% -10% |
✖Die Gate-Länge ist der Abstand zwischen den Source- und Drain-Elektroden entlang der Richtung senkrecht zur Ebene des Halbleitermaterials und parallel zur Gate-Elektrode.ⓘ Torlänge [Lgate] | | | +10% -10% |