Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität Taschenrechner

✖Die Beweglichkeit von Löchern im Kanal hängt von verschiedenen Faktoren ab, wie z. B. der Kristallstruktur des Halbleitermaterials, dem Vorhandensein von Verunreinigungen, der Temperatur,ⓘ Beweglichkeit von Löchern im Kanal [μ_p]			+10% -10%
✖Die horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal ist die Stärke des elektrischen Feldes, das im Material unter der Gate-Oxidschicht in dem Bereich vorhanden ist, in dem die Inversionsschicht gebildet wird.ⓘ Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal [E_y]			+10% -10%

✖Die Driftgeschwindigkeit der Inversionsschicht in einem MOSFET ist die durchschnittliche Geschwindigkeit der Elektronen, aus denen die Inversionsschicht besteht, wenn sie sich unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes durch das Material bewegen.ⓘ Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität [V_y]

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Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Driftgeschwindigkeit der Inversion = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal
V_y = μ_p*E_y
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Driftgeschwindigkeit der Inversion - (Gemessen in Meter pro Sekunde) - Die Driftgeschwindigkeit der Inversionsschicht in einem MOSFET ist die durchschnittliche Geschwindigkeit der Elektronen, aus denen die Inversionsschicht besteht, wenn sie sich unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes durch das Material bewegen.
Beweglichkeit von Löchern im Kanal - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Beweglichkeit von Löchern im Kanal hängt von verschiedenen Faktoren ab, wie z. B. der Kristallstruktur des Halbleitermaterials, dem Vorhandensein von Verunreinigungen, der Temperatur,
Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal - (Gemessen in Volt pro Meter) - Die horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal ist die Stärke des elektrischen Feldes, das im Material unter der Gate-Oxidschicht in dem Bereich vorhanden ist, in dem die Inversionsschicht gebildet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Beweglichkeit von Löchern im Kanal: 2.66 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 2.66 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal: 5.5 Volt pro Meter --> 5.5 Volt pro Meter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_y = μ_p*E_y --> 2.66*5.5

Auswerten ... ...

V_y = 14.63

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

14.63 Meter pro Sekunde -->1463 Zentimeter pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1463 Zentimeter pro Sekunde <-- Driftgeschwindigkeit der Inversion

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR INSTITUT FÜR TECHNOLOGIE (GTBIT), NEU-DELHI

Aman Dhussawat hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

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