Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt Taschenrechner

✖Die Mobilität von Elektronen ist definiert als die Größe der durchschnittlichen Driftgeschwindigkeit pro elektrischer Feldeinheit.ⓘ Mobilität des Elektrons [μ_e]			+10% -10%
✖Die Oxidkapazität ist die Kapazität des Parallelplattenkondensators pro Einheit Gate-Fläche.ⓘ Oxidkapazität [C_ox]			+10% -10%
✖Die Kanalbreite ist die Abmessung des Kanals des MOSFET.ⓘ Breite des Kanals [W_c]			+10% -10%
✖Die Länge des Kanals L, also der Abstand zwischen den beiden -p-Übergängen.ⓘ Länge des Kanals [L]			+10% -10%
✖Die Spannung am Oxid ist auf die Ladung an der Oxid-Halbleiter-Grenzfläche zurückzuführen und der dritte Term ist auf die Ladungsdichte im Oxid zurückzuführen.ⓘ Spannung über Oxid [V_ox]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%
✖Die Sättigungsspannung zwischen Drain und Source in einem Transistor ist eine Spannung zwischen Kollektor und Emitter, die für die Sättigung erforderlich ist.ⓘ Sättigungsspannung zwischen Drain und Source [V_ds]			+10% -10%

✖Der Ausgangsstrom ist der Strom, den der Verstärker von der Signalquelle bezieht.ⓘ Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt [i_o]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

Formel

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

Beispiel

14.63474 mA = (0.012 m²/V*s \cdot 0.001 F/m² \cdot (\frac{10.15 μm}{3.25 μm}) \cdot (3.775 V - 2 V)) \cdot 220 V

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen Eigenschaften des Transistorverstärkers Formeln Pdf PDF Image

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source
i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds
Diese formel verwendet 8 Variablen

Verwendete Variablen

Ausgangsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Ausgangsstrom ist der Strom, den der Verstärker von der Signalquelle bezieht.
Mobilität des Elektrons - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Mobilität von Elektronen ist definiert als die Größe der durchschnittlichen Driftgeschwindigkeit pro elektrischer Feldeinheit.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad pro Quadratmeter) - Die Oxidkapazität ist die Kapazität des Parallelplattenkondensators pro Einheit Gate-Fläche.
Breite des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite ist die Abmessung des Kanals des MOSFET.
Länge des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Länge des Kanals L, also der Abstand zwischen den beiden -p-Übergängen.
Spannung über Oxid - (Gemessen in Volt) - Die Spannung am Oxid ist auf die Ladung an der Oxid-Halbleiter-Grenzfläche zurückzuführen und der dritte Term ist auf die Ladungsdichte im Oxid zurückzuführen.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.
Sättigungsspannung zwischen Drain und Source - (Gemessen in Volt) - Die Sättigungsspannung zwischen Drain und Source in einem Transistor ist eine Spannung zwischen Kollektor und Emitter, die für die Sättigung erforderlich ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Mobilität des Elektrons: 0.012 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 0.012 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Oxidkapazität: 0.001 Farad pro Quadratmeter --> 0.001 Farad pro Quadratmeter Keine Konvertierung erforderlich
Breite des Kanals: 10.15 Mikrometer --> 1.015E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Länge des Kanals: 3.25 Mikrometer --> 3.25E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Spannung über Oxid: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Sättigungsspannung zwischen Drain und Source: 220 Volt --> 220 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds --> (0.012*0.001*(1.015E-05/3.25E-06)*(3.775-2))*220

Auswerten ... ...

i_o = 0.0146347384615385

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0146347384615385 Ampere -->14.6347384615385 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

14.6347384615385 ≈ 14.63474 Milliampere <-- Ausgangsstrom

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Verstärker » Transistorverstärker » Eigenschaften des Transistorverstärkers » Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2

Gesamte momentane Drain-Spannung

Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch

Eingangsspannung im Transistor

Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

Mehr sehen >>

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt Formel

Erklären Sie die Arbeitsweise des NMOS-Transistors.

Ein NMOS-Transistor mit einer Spannung über der Gasquelle> Schwellenspannung und einer kleinen Spannung zwischen Drain und Source. Das Gerät wirkt als Widerstand, dessen Wert durch die Spannung an der Gasquelle bestimmt wird. Insbesondere ist die Kanalleitfähigkeit proportional zur Spannung über der Gasquelle - Schwellenspannung, und daher ist Id proportional zur Spannung (Spannung über der Gasquelle - Schwellenspannung) zwischen Drain und Source.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!