✖Die Mobilität von Elektronen ist definiert als die Größe der durchschnittlichen Driftgeschwindigkeit pro elektrischer Feldeinheit.ⓘ Mobilität des Elektrons [μe] | | | +10% -10% |
✖Die Oxidkapazität ist die Kapazität des Parallelplattenkondensators pro Einheit Gate-Fläche.ⓘ Oxidkapazität [Cox] | | | +10% -10% |
✖Die Kanalbreite ist die Abmessung des Kanals des MOSFET.ⓘ Breite des Kanals [Wc] | | | +10% -10% |
✖Die Länge des Kanals L, also der Abstand zwischen den beiden -p-Übergängen.ⓘ Länge des Kanals [L] | | | +10% -10% |
✖Die Spannung am Oxid ist auf die Ladung an der Oxid-Halbleiter-Grenzfläche zurückzuführen und der dritte Term ist auf die Ladungsdichte im Oxid zurückzuführen.ⓘ Spannung über Oxid [Vox] | | | +10% -10% |
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [Vt] | | | +10% -10% |
✖Die Sättigungsspannung zwischen Drain und Source in einem Transistor ist eine Spannung zwischen Kollektor und Emitter, die für die Sättigung erforderlich ist.ⓘ Sättigungsspannung zwischen Drain und Source [Vds] | | | +10% -10% |