Querschnittsbereich der Kreuzung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Kreuzungsbereich = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Akzeptorkonzentration)
Aj = |Q|/([Charge-e]*xno*Na)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen
Verwendete Konstanten
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
Verwendete Variablen
Kreuzungsbereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Übergangsbereich ist der Grenz- oder Grenzflächenbereich zwischen zwei Arten von Halbleitermaterialien in einer pn-Diode.
Gesamtakzeptanzgebühr - (Gemessen in Coulomb) - Die Gesamtakzeptorladung bezieht sich auf die Gesamtnettoladung, die mit den Akzeptoratomen in einem Halbleitermaterial oder -gerät verbunden ist.
Ladungsdurchdringung N-Typ - (Gemessen in Meter) - Ladungseindringung vom N-Typ bezieht sich auf das Phänomen, bei dem zusätzliche Elektronen von Dotierstoffatomen, typischerweise Phosphor oder Arsen, in das Kristallgitter des Halbleitermaterials eindringen.
Akzeptorkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration eines Akzeptor- oder Dotierstoffatoms, das beim Einsetzen in ein Halbleitergitter einen p-Typ-Bereich bildet.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gesamtakzeptanzgebühr: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Keine Konvertierung erforderlich
Ladungsdurchdringung N-Typ: 0.019 Mikrometer --> 1.9E-08 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Akzeptorkonzentration: 7.9E+35 1 pro Kubikmeter --> 7.9E+35 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Aj = |Q|/([Charge-e]*xno*Na) --> 13/([Charge-e]*1.9E-08*7.9E+35)
Auswerten ... ...
Aj = 5.40570410906043E-09
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
5.40570410906043E-09 Quadratmeter -->5405.70410906043 Quadratmikrometer (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
5405.70410906043 5405.704 Quadratmikrometer <-- Kreuzungsbereich
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Sperrschichtkapazität
​ LaTeX ​ Gehen Sperrschichtkapazität = (Kreuzungsbereich/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Konstanter Längenversatz*Dopingkonzentration der Base)/(Quellenspannung-Quellenspannung 1))
Serienwiderstand im P-Typ
​ LaTeX ​ Gehen Reihenwiderstand im P-Übergang = ((Quellenspannung-Sperrschichtspannung)/Elektrischer Strom)-Serienwiderstand im N-Übergang
Sperrschichtspannung
​ LaTeX ​ Gehen Sperrschichtspannung = Quellenspannung-(Reihenwiderstand im P-Übergang+Serienwiderstand im N-Übergang)*Elektrischer Strom
N-Typ-Breite
​ LaTeX ​ Gehen Ladungsdurchdringung N-Typ = Gesamtakzeptanzgebühr/(Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration*[Charge-e])

Querschnittsbereich der Kreuzung Formel

​LaTeX ​Gehen
Kreuzungsbereich = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Akzeptorkonzentration)
Aj = |Q|/([Charge-e]*xno*Na)

Wie entsteht ein Halbleiterübergang?

Pn-Übergänge werden durch Verbinden von Halbleitermaterialien vom n-Typ und p-Typ gebildet, wie unten gezeigt. ... Wenn sich die Elektronen und Löcher in einem pn-Übergang jedoch auf die andere Seite des Übergangs bewegen, hinterlassen sie freiliegende Ladungen auf Dotieratomplätzen, die im Kristallgitter fixiert sind und sich nicht bewegen können.

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