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Der Eingangswiderstand ist der Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis. Sie wird in Ohm (Ω) gemessen. Je höher der Widerstand, desto größer ist der Widerstand gegen den Stromfluss.
ⓘ
Eingangswiderstand [R
in
]
Kiloohm
Megahm
Mikroohm
Milliohm
Ohm
Volt pro Ampere
+10%
-10%
✖
Die Miller-Kapazität ist die äquivalente Eingangskapazität eines MOSFET-Verstärkers aufgrund des Miller-Effekts.
ⓘ
Miller-Kapazität [C
in
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Pikofarad
+10%
-10%
✖
Die Eckfrequenz einer Schaltung ist die Frequenz, bei der die Verstärkung der Schaltung deutlich abzunehmen beginnt.
ⓘ
Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang [f
c
]
Schläge / Minute
Zyklus / Sekunde
Frames pro Sekunde
Gigahertz
Hektohertz
Hertz
Kilohertz
Megahertz
Petahertz
Pikohertz
Umdrehung pro Stunde
Umdrehung pro Minute
Revolution pro Sekunde
Terahertz
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Schritte
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Formel
✖
Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang
Formel
f
c
=
1
2
⋅
π
⋅
R
in
⋅
C
in
Beispiel
110.8321 Hz
=
1
2
⋅
π
⋅
200 Ω
⋅
7.18 μF
Taschenrechner
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Herunterladen MOSFET Formel Pdf
Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Eckfrequenz
= 1/(2*
pi
*
Eingangswiderstand
*
Miller-Kapazität
)
f
c
= 1/(2*
pi
*
R
in
*
C
in
)
Diese formel verwendet
1
Konstanten
,
3
Variablen
Verwendete Konstanten
pi
- Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288
Verwendete Variablen
Eckfrequenz
-
(Gemessen in Hertz)
- Die Eckfrequenz einer Schaltung ist die Frequenz, bei der die Verstärkung der Schaltung deutlich abzunehmen beginnt.
Eingangswiderstand
-
(Gemessen in Ohm)
- Der Eingangswiderstand ist der Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis. Sie wird in Ohm (Ω) gemessen. Je höher der Widerstand, desto größer ist der Widerstand gegen den Stromfluss.
Miller-Kapazität
-
(Gemessen in Farad)
- Die Miller-Kapazität ist die äquivalente Eingangskapazität eines MOSFET-Verstärkers aufgrund des Miller-Effekts.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Eingangswiderstand:
200 Ohm --> 200 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Miller-Kapazität:
7.18 Mikrofarad --> 7.18E-06 Farad
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
f
c
= 1/(2*pi*R
in
*C
in
) -->
1/(2*
pi
*200*7.18E-06)
Auswerten ... ...
f
c
= 110.832133072351
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
110.832133072351 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
110.832133072351
≈
110.8321 Hertz
<--
Eckfrequenz
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)
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Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang
Credits
Erstellt von
Suma Madhuri
VIT-Universität
(VIT)
,
Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!
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Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner
Übergangsfrequenz des MOSFET
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Übergangsfrequenz
=
Steilheit
/(2*
pi
*(
Source-Gate-Kapazität
+
Gate-Drain-Kapazität
))
Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET
Gehen
Kanalbreite
=
Überlappungskapazität
/(
Oxidkapazität
*
Überlappungslänge
)
Überlappungskapazität des MOSFET
Gehen
Überlappungskapazität
=
Kanalbreite
*
Oxidkapazität
*
Überlappungslänge
Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs
Gehen
Gate-Kanalkapazität
=
Oxidkapazität
*
Kanalbreite
*
Kanallänge
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Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang Formel
Eckfrequenz
= 1/(2*
pi
*
Eingangswiderstand
*
Miller-Kapazität
)
f
c
= 1/(2*
pi
*
R
in
*
C
in
)
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