Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Eckfrequenz = 1/(2*pi*Eingangswiderstand*Miller-Kapazität)
fc = 1/(2*pi*Rin*Cin)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 3 Variablen
Verwendete Konstanten
pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288
Verwendete Variablen
Eckfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Eckfrequenz einer Schaltung ist die Frequenz, bei der die Verstärkung der Schaltung deutlich abzunehmen beginnt.
Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Eingangswiderstand ist der Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis. Sie wird in Ohm (Ω) gemessen. Je höher der Widerstand, desto größer ist der Widerstand gegen den Stromfluss.
Miller-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Miller-Kapazität ist die äquivalente Eingangskapazität eines MOSFET-Verstärkers aufgrund des Miller-Effekts.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Eingangswiderstand: 200 Ohm --> 200 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Miller-Kapazität: 7.18 Mikrofarad --> 7.18E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
fc = 1/(2*pi*Rin*Cin) --> 1/(2*pi*200*7.18E-06)
Auswerten ... ...
fc = 110.832133072351
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
110.832133072351 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
110.832133072351 110.8321 Hertz <-- Eckfrequenz
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Suma Madhuri
VIT-Universität (VIT), Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Übergangsfrequenz des MOSFET
​ Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET
​ Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)
Überlappungskapazität des MOSFET
​ Gehen Überlappungskapazität = Kanalbreite*Oxidkapazität*Überlappungslänge
Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs
​ Gehen Gate-Kanalkapazität = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge

Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang Formel

Eckfrequenz = 1/(2*pi*Eingangswiderstand*Miller-Kapazität)
fc = 1/(2*pi*Rin*Cin)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!