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Photonische Geräte Geräte mit optischen Komponenten Laser

✖Die absolute Temperatur stellt die Temperatur des Systems dar.ⓘ Absolute Temperatur [T]			+10% -10%
✖Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.ⓘ Akzeptorkonzentration [N_A]			+10% -10%
✖Unter Donatorkonzentration versteht man die Konzentration von Donator-Dotierstoffatomen, die in ein Halbleitermaterial eingebracht werden, um die Anzahl freier Elektronen zu erhöhen.ⓘ Spenderkonzentration [N_D]			+10% -10%
✖Die intrinsische Ladungsträgerkonzentration bezieht sich auf die Konzentration der Ladungsträger, sowohl der Mehrheits- als auch der Minderheitsladungsträger, eines intrinsischen Halbleiters im thermischen Gleichgewicht.ⓘ Intrinsische Trägerkonzentration [n1_i]			+10% -10%

✖Die Spannung am PN-Übergang ist das eingebaute Potenzial am PN-Übergang eines Halbleiters ohne externe Vorspannung.ⓘ Kontaktpotenzialunterschied [V₀]

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Kontaktpotenzialunterschied Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Spannung am PN-Anschluss = ([BoltZ]*Absolute Temperatur)/[Charge-e]*ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Trägerkonzentration)^2)
V₀ = ([BoltZ]*T)/[Charge-e]*ln((N_A*N_D)/(n1_i)^2)
Diese formel verwendet 2 Konstanten, 1 Funktionen, 5 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
[BoltZ] - Boltzmann-Konstante Wert genommen als 1.38064852E-23

Verwendete Funktionen

ln - Der natürliche Logarithmus, auch Logarithmus zur Basis e genannt, ist die Umkehrfunktion der natürlichen Exponentialfunktion., ln(Number)

Verwendete Variablen

Spannung am PN-Anschluss - (Gemessen in Volt) - Die Spannung am PN-Übergang ist das eingebaute Potenzial am PN-Übergang eines Halbleiters ohne externe Vorspannung.
Absolute Temperatur - (Gemessen in Kelvin) - Die absolute Temperatur stellt die Temperatur des Systems dar.
Akzeptorkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.
Spenderkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Donatorkonzentration versteht man die Konzentration von Donator-Dotierstoffatomen, die in ein Halbleitermaterial eingebracht werden, um die Anzahl freier Elektronen zu erhöhen.
Intrinsische Trägerkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die intrinsische Ladungsträgerkonzentration bezieht sich auf die Konzentration der Ladungsträger, sowohl der Mehrheits- als auch der Minderheitsladungsträger, eines intrinsischen Halbleiters im thermischen Gleichgewicht.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Absolute Temperatur: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich
Akzeptorkonzentration: 1E+22 1 pro Kubikmeter --> 1E+22 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Spenderkonzentration: 1E+24 1 pro Kubikmeter --> 1E+24 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Intrinsische Trägerkonzentration: 1E+19 1 pro Kubikmeter --> 1E+19 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V₀ = ([BoltZ]*T)/[Charge-e]*ln((N_A*N_D)/(n1_i)^2) --> ([BoltZ]*393)/[Charge-e]*ln((1E+22*1E+24)/(1E+19)^2)

Auswerten ... ...

V₀ = 0.623836767969216

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.623836767969216 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.623836767969216 ≈ 0.623837 Volt <-- Spannung am PN-Anschluss

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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