✖Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird.ⓘ Gate-Source-Kapazität [Cgs] | | | +10% -10% |
✖Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.ⓘ Gate-to-Drain-Kapazität [Cgd] | | | +10% -10% |
✖Die Kapazität ist das Verhältnis der auf einem Leiter gespeicherten elektrischen Ladungsmenge zu einer elektrischen Potenzialdifferenz.ⓘ Kapazität [Ct] | | | +10% -10% |
✖Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.ⓘ Transkonduktanz [gm] | | | +10% -10% |
✖Der Lastwiderstand ist der kumulative Widerstand eines Stromkreises, gemessen an der Spannung, dem Strom oder der Stromquelle, die diesen Stromkreis antreibt.ⓘ Lastwiderstand [RL] | | | +10% -10% |
✖Der Signalwiderstand ist der Widerstand, der mit der Signalspannungsquelle vs einem Verstärker zugeführt wird.ⓘ Signalwiderstand [Rsig] | | | +10% -10% |