Leitfähigkeit vom N-Typ Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))
σ = q*(μn*Nd+μp*(ni^2/Nd))
Diese formel verwendet 6 Variablen
Verwendete Variablen
Ohmsche Leitfähigkeit - (Gemessen in Siemens / Meter) - Die Ohmsche Leitfähigkeit ist das Maß für die Fähigkeit des Materials, elektrischen Strom fließen zu lassen. Die elektrische Leitfähigkeit ist von Material zu Material unterschiedlich.
Aufladung - (Gemessen in Coulomb) - Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.
Elektronendotierte Siliziummobilität - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Elektronendotierungs-Siliziummobilität beschreibt, wie schnell sich ein Elektron durch ein Metall oder einen Halbleiter bewegen kann, wenn es von einem elektrischen Feld angezogen wird.
Gleichgewichtskonzentration des N-Typs - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Gleichgewichtskonzentration des N-Typs entspricht der Dichte der Donoratome, da die Elektronen für die Leitung ausschließlich vom Donoratom bereitgestellt werden.
Lochdotierung der Siliziummobilität - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Lochdotierung Siliziummobilität ist die Fähigkeit eines Lochs, sich in Gegenwart eines angelegten elektrischen Feldes durch ein Metall oder einen Halbleiter zu bewegen.
Intrinsische Konzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die intrinsische Konzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Aufladung: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Elektronendotierte Siliziummobilität: 0.38 Quadratzentimeter pro Voltsekunde --> 3.8E-05 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gleichgewichtskonzentration des N-Typs: 45 1 pro Kubikzentimeter --> 45000000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Lochdotierung der Siliziummobilität: 2.4 Quadratzentimeter pro Voltsekunde --> 0.00024 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Intrinsische Konzentration: 1.32 1 pro Kubikzentimeter --> 1320000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
σ = q*(μn*Ndp*(ni^2/Nd)) --> 0.005*(3.8E-05*45000000+0.00024*(1320000^2/45000000))
Auswerten ... ...
σ = 8.596464
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
8.596464 Siemens / Meter -->0.08596464 Mho / Zentimeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.08596464 0.085965 Mho / Zentimeter <-- Ohmsche Leitfähigkeit
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

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Erstellt von Rahul Gupta
Chandigarh-Universität (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
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Geprüft von Ritwik Tripathi
Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore
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Leitfähigkeit vom N-Typ
​ LaTeX ​ Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))
Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen
​ LaTeX ​ Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)
Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration
​ LaTeX ​ Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)
Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters
​ LaTeX ​ Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Leitfähigkeit vom N-Typ Formel

​LaTeX ​Gehen
Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))
σ = q*(μn*Nd+μp*(ni^2/Nd))
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