Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand
G = 1/Rds
Diese formel verwendet 2 Variablen
Verwendete Variablen
Leitfähigkeit des Kanals - (Gemessen in Siemens) - Der Leitwert eines Kanals wird typischerweise als das Verhältnis des durch den Kanal fließenden Stroms zur Spannung an ihm definiert.
Linearer Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Linearer Widerstand, die Größe des Widerstands oder Widerstands ist direkt proportional zur Menge des durch ihn fließenden Stroms, wie durch das Ohmsche Gesetz beschrieben.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Linearer Widerstand: 0.166 Kiloohm --> 166 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
G = 1/Rds --> 1/166
Auswerten ... ...
G = 0.00602409638554217
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.00602409638554217 Siemens -->6.02409638554217 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
6.02409638554217 6.024096 Millisiemens <-- Leitfähigkeit des Kanals
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Prahalad Singh
Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

Widerstand Taschenrechner

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis
​ LaTeX ​ Gehen Linearer Widerstand = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung)
Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source
​ LaTeX ​ Gehen Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch
Mittlerer freier Elektronenweg
​ LaTeX ​ Gehen Mittlerer freier Elektronenweg = 1/(Ausgangswiderstand*Stromverbrauch)
Ausgangswiderstand entleeren
​ LaTeX ​ Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Stromverbrauch)

MOSFET-Eigenschaften Taschenrechner

Spannungsverstärkung bei gegebenem Lastwiderstand des MOSFET
​ LaTeX ​ Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*(1/(1/Lastwiderstand+1/Ausgangswiderstand))/(1+Steilheit*Quellenwiderstand)
Maximale Spannungsverstärkung am Vorspannungspunkt
​ LaTeX ​ Gehen Maximale Spannungsverstärkung = 2*(Versorgungsspannung-Effektive Spannung)/(Effektive Spannung)
Spannungsverstärkung bei gegebener Drain-Spannung
​ LaTeX ​ Gehen Spannungsverstärkung = (Stromverbrauch*Lastwiderstand*2)/Effektive Spannung
Maximale Spannungsverstärkung bei allen Spannungen
​ LaTeX ​ Gehen Maximale Spannungsverstärkung = (Versorgungsspannung-0.3)/Thermische Spannung

Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET Formel

​LaTeX ​Gehen
Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand
G = 1/Rds

Ist MOSFET eine symmetrische Vorrichtung?

MOSFET ist eine symmetrische Vorrichtung, daher lautet die Antwort ja. Wenn Sie jedoch in Ihrem Schaltungsdesign Ihren Körper an einen der Anschlüsse gebunden haben, möchten Sie, dass dieser Anschluss die Quelle ist.

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