Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis = Thermische Gleichgewichtskonzentration*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
Np = npo*e^(VBE/Vt)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen
Verwendete Konstanten
e - Napier-Konstante Wert genommen als 2.71828182845904523536028747135266249
Verwendete Variablen
Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen ist die Anzahl der Elektronen, die vom Emitter zur Basis geleitet werden.
Thermische Gleichgewichtskonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die thermische Gleichgewichtskonzentration ist als die Konzentration von Trägern in einem Verstärker definiert.
Basis-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.
Thermische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Thermische Gleichgewichtskonzentration: 1E+18 1 pro Kubikmeter --> 1E+18 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Basis-Emitter-Spannung: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Thermische Spannung: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Np = npo*e^(VBE/Vt) --> 1E+18*e^(5.15/4.7)
Auswerten ... ...
Np = 2.99140949952878E+18
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
2.99140949952878E+18 1 pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
2.99140949952878E+18 3E+18 1 pro Kubikmeter <-- Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT
​ LaTeX ​ Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*(Kollektorstrom/Grenzspannung)
Gespeicherte Elektronenladung in der Basis von BJT
​ LaTeX ​ Gehen Gespeicherte Elektronenladung = Gerätekonstante*Kollektorstrom
Kleinsignal-Diffusionskapazität
​ LaTeX ​ Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*Steilheit
Basis-Emitter-Übergangskapazität
​ LaTeX ​ Gehen Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität

Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen Formel

​LaTeX ​Gehen
Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis = Thermische Gleichgewichtskonzentration*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
Np = npo*e^(VBE/Vt)

Wie werden Minderheitsladungsträger in BJT verteilt?

Der physikalische Betrieb des BJT kann verbessert werden, indem die Verteilung der Minoritätsladungsträger in der Basis und im Emitter berücksichtigt wird. Die Profile der Elektronenkonzentration in der Basis und der Löcher im Emitter eines im aktiven Modus arbeitenden NPN-Transistors. Beachten Sie, dass, da die Dotierungskonzentration im Emitter ND viel höher ist als die Dotierungskonzentration in der Basis NA, die Konzentration der vom Emitter zur Basis n injizierten Elektronen n

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