Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen Taschenrechner

✖Die thermische Gleichgewichtskonzentration ist als die Konzentration von Trägern in einem Verstärker definiert.ⓘ Thermische Gleichgewichtskonzentration [n_po]			+10% -10%
✖Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.ⓘ Basis-Emitter-Spannung [V_BE]			+10% -10%
✖Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.ⓘ Thermische Spannung [V_t]			+10% -10%

✖Die Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen ist die Anzahl der Elektronen, die vom Emitter zur Basis geleitet werden.ⓘ Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen [N_p]

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Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis = Thermische Gleichgewichtskonzentration*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
N_p = n_po*e^(V_BE/V_t)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

e - Napier-Konstante Wert genommen als 2.71828182845904523536028747135266249

Verwendete Variablen

Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen ist die Anzahl der Elektronen, die vom Emitter zur Basis geleitet werden.
Thermische Gleichgewichtskonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die thermische Gleichgewichtskonzentration ist als die Konzentration von Trägern in einem Verstärker definiert.
Basis-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.
Thermische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Thermische Gleichgewichtskonzentration: 1E+18 1 pro Kubikmeter --> 1E+18 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Basis-Emitter-Spannung: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Thermische Spannung: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

N_p = n_po*e^(V_BE/V_t) --> 1E+18*e^(5.15/4.7)

Auswerten ... ...

N_p = 2.99140949952878E+18

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.99140949952878E+18 1 pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.99140949952878E+18 ≈ 3E+18 1 pro Kubikmeter <-- Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis

(Berechnung in 00.006 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT

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Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen Formel

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Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis = Thermische Gleichgewichtskonzentration*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
N_p = n_po*e^(V_BE/V_t)

Wie werden Minderheitsladungsträger in BJT verteilt?

Der physikalische Betrieb des BJT kann verbessert werden, indem die Verteilung der Minoritätsladungsträger in der Basis und im Emitter berücksichtigt wird. Die Profile der Elektronenkonzentration in der Basis und der Löcher im Emitter eines im aktiven Modus arbeitenden NPN-Transistors. Beachten Sie, dass, da die Dotierungskonzentration im Emitter ND viel höher ist als die Dotierungskonzentration in der Basis NA, die Konzentration der vom Emitter zur Basis n injizierten Elektronen n

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