Konzentration im Leitungsband Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Elektronenkonzentration im Leitungsband = Effektive Zustandsdichte im Leitungsband*Fermi-Funktion
n0 = Nc*fE
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Elektronenkonzentration im Leitungsband - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Elektronenkonzentration im Leitungsband bezieht sich auf die Menge oder Häufigkeit freier Elektronen, die für die Leitung im Leitungsband eines Halbleitermaterials zur Verfügung stehen.
Effektive Zustandsdichte im Leitungsband - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die effektive Zustandsdichte im Leitungsband ist definiert als die Anzahl äquivalenter Energieminima im Leitungsband.
Fermi-Funktion - Die Fermi-Funktion ist als ein Begriff definiert, der verwendet wird, um die Spitze der Sammlung von Elektronenenergieniveaus bei absoluter Nulltemperatur zu beschreiben.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Effektive Zustandsdichte im Leitungsband: 640000000 1 pro Kubikmeter --> 640000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Fermi-Funktion: 0.022 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
n0 = Nc*fE --> 640000000*0.022
Auswerten ... ...
n0 = 14080000
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
14080000 1 pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
14080000 1.4E+7 1 pro Kubikmeter <-- Elektronenkonzentration im Leitungsband
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Konzentration im Leitungsband Formel

​LaTeX ​Gehen
Elektronenkonzentration im Leitungsband = Effektive Zustandsdichte im Leitungsband*Fermi-Funktion
n0 = Nc*fE

Ist die Elektronenkonzentration gleich der Löcherkonzentration in diesem intrinsischen Silizium?

In einem intrinsischen Halbleiter ist die Anzahl der im Leitungsband erzeugten Elektronen gleich der Anzahl der im Valenzband erzeugten Löcher. Daher ist die Elektronenträgerkonzentration gleich der Lochträgerkonzentration.

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