Gleichtaktsignal des MOSFET bei gegebener Ausgangsspannung an Drain Q2 Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Drain-Spannung Q1 = (2*Ausgangswiderstand*Gleichtakt-Eingangssignal)/Abflusswiderstand
vo1 = (2*Rout*Vcin)/Rd
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Drain-Spannung Q1 - (Gemessen in Volt) - Die Drain-Spannung Q1 ist die Spannung, die am Drain-Anschluss eines Transistors Q1 in der Differenzschaltung abgenommen wird.
Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.
Gleichtakt-Eingangssignal - (Gemessen in Volt) - Ein Gleichtakt-Eingangssignal ist eine Art elektrisches Signal, das an beiden Eingangsanschlüssen eines Differenzverstärkers gleichermaßen auftritt.
Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand ist der Widerstand, den man sieht, wenn man in den Drain-Anschluss eines FET schaut, wenn eine Spannung an das Gate angelegt wird. Dies ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von FET-Schaltungen beeinflusst.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Ausgangswiderstand: 4.5 Kiloohm --> 4500 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gleichtakt-Eingangssignal: 135 Volt --> 135 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Abflusswiderstand: 0.279 Kiloohm --> 279 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
vo1 = (2*Rout*Vcin)/Rd --> (2*4500*135)/279
Auswerten ... ...
vo1 = 4354.83870967742
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
4354.83870967742 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
4354.83870967742 4354.839 Volt <-- Drain-Spannung Q1
(Berechnung in 00.007 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) Taschenrechner

Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast
​ LaTeX ​ Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = Steilheit*(1/(1/Primärwicklungswiderstand in der Sekundärwicklung+1/Sekundärwicklungswiderstand in der Primärwicklung))*(2*Änderung der Transkonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis des MOSFET bei gegebenem Widerstand
​ LaTeX ​ Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = (2*Steilheit*Ausgangswiderstand)/(Änderung des Ablaufwiderstands/Abflusswiderstand)
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast, wenn der Widerstand an den Drains gleich ist
​ LaTeX ​ Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = (Steilheit*Endlicher Ausgangswiderstand)*(Steilheit*Quellenwiderstand)
Gleichtaktsignal des MOSFET bei gegebenem Widerstand
​ LaTeX ​ Gehen Gleichtakt-Eingangssignal = (2*Ausgangswiderstand*Ausgangsspannung)/Lastwiderstand

Gleichtaktsignal des MOSFET bei gegebener Ausgangsspannung an Drain Q2 Formel

​LaTeX ​Gehen
Drain-Spannung Q1 = (2*Ausgangswiderstand*Gleichtakt-Eingangssignal)/Abflusswiderstand
vo1 = (2*Rout*Vcin)/Rd

Erklären Sie die Arbeitsweise des NMOS-Transistors.

Ein NMOS-Transistor mit einer Spannung über der Gasquelle> Schwellenspannung und einer kleinen Spannung zwischen Drain und Source. Das Gerät wirkt als Widerstand, dessen Wert durch die Spannung an der Gasquelle bestimmt wird. Insbesondere ist die Kanalleitfähigkeit proportional zur Spannung über der Gasquelle - Schwellenspannung, und daher ist Id proportional zur Spannung (Spannung über der Gasquelle - Schwellenspannung) zwischen Drain und Source

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