Gleichtakt-Eingangssignal des MOSFET Taschenrechner

✖Als Gesamtstrom bezeichnet man in der Elektrotechnik und Physik die Summe aller elektrischen Ströme, die durch einen bestimmten Punkt in einem Stromkreis oder Leiter fließen.ⓘ Gesamtstrom [I_t]			+10% -10%
✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Steilheit [g_m]			+10% -10%
✖Der Gesamtlastwiderstand des MOSFET umfasst sowohl den intrinsischen Drain-Source-Widerstand des MOSFET als auch den externen Lastwiderstand, der mit dem Drain-Anschluss verbunden ist.ⓘ Gesamtlastwiderstand des MOSFET [R_tl]			+10% -10%

✖Ein Gleichtakt-Eingangssignal ist eine Art elektrisches Signal, das an beiden Eingangsanschlüssen eines Differenzverstärkers gleichermaßen auftritt.ⓘ Gleichtakt-Eingangssignal des MOSFET [V_cin]

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Gleichtakt-Eingangssignal des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gleichtakt-Eingangssignal = (Gesamtstrom/Steilheit)+(2*Gesamtstrom*Gesamtlastwiderstand des MOSFET)
V_cin = (I_t/g_m)+(2*I_t*R_tl)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Gleichtakt-Eingangssignal - (Gemessen in Volt) - Ein Gleichtakt-Eingangssignal ist eine Art elektrisches Signal, das an beiden Eingangsanschlüssen eines Differenzverstärkers gleichermaßen auftritt.
Gesamtstrom - (Gemessen in Ampere) - Als Gesamtstrom bezeichnet man in der Elektrotechnik und Physik die Summe aller elektrischen Ströme, die durch einen bestimmten Punkt in einem Stromkreis oder Leiter fließen.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Gesamtlastwiderstand des MOSFET - (Gemessen in Ohm) - Der Gesamtlastwiderstand des MOSFET umfasst sowohl den intrinsischen Drain-Source-Widerstand des MOSFET als auch den externen Lastwiderstand, der mit dem Drain-Anschluss verbunden ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gesamtstrom: 7.7 Milliampere --> 0.0077 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gesamtlastwiderstand des MOSFET: 7.8 Kiloohm --> 7800 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_cin = (I_t/g_m)+(2*I_t*R_tl) --> (0.0077/0.0005)+(2*0.0077*7800)

Auswerten ... ...

V_cin = 135.52

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

135.52 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

135.52 Volt <-- Gleichtakt-Eingangssignal

(Berechnung in 00.007 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast

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Gleichtaktsignal des MOSFET bei gegebenem Widerstand

LaTeX Gehen Gleichtakt-Eingangssignal = (2*Ausgangswiderstand*Ausgangsspannung)/Lastwiderstand

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Gleichtakt-Eingangssignal des MOSFET Formel

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Gleichtakt-Eingangssignal = (Gesamtstrom/Steilheit)+(2*Gesamtstrom*Gesamtlastwiderstand des MOSFET)
V_cin = (I_t/g_m)+(2*I_t*R_tl)

Was versteht man unter Differenzeingangssignalen in einem MOS-Differenzverstärker?

Differenzverstärker wenden die Verstärkung nicht auf ein Eingangssignal an, sondern auf die Differenz zwischen zwei Eingangssignalen. Dies bedeutet, dass ein Differenzverstärker natürlich Rauschen oder Interferenzen eliminiert, die in beiden Eingangssignalen vorhanden sind.

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