Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung
VCE = VBE-VBC
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Kollektor-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Kollektor-Emitter-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorgebiet eines Transistors.
Basis-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.
Basis-Kollektor-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Kollektor-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorbereich eines Transistors.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Basis-Emitter-Spannung: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Basis-Kollektor-Spannung: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
VCE = VBE-VBC --> 5.15-2
Auswerten ... ...
VCE = 3.15
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
3.15 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
3.15 Volt <-- Kollektor-Emitter-Spannung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

Stromspannung Taschenrechner

Einzelne Komponente der Drain-Spannung bei gegebener Transkonduktanz
​ Gehen Gesamte momentane Drain-Spannung = -Steilheit*Eingangsspannung*Lastwiderstand
Spannung zwischen Gate und Source
​ Gehen Gate-Source-Spannung = Eingangsspannung/(1+Steilheit*Widerstand)
Einzelne Komponente der Drain-Spannung
​ Gehen Gesamte momentane Drain-Spannung = (-Änderung des Drainstroms*Lastwiderstand)
Gesamte momentane Gate-zu-Source-Spannung
​ Gehen Gate-Source-Spannung = Kleines Signal+Spannung über Oxid

BJT-Schaltung Taschenrechner

Gesamtverlustleistung in BJT
​ Gehen Leistung = Kollektor-Emitter-Spannung*Kollektorstrom+Basis-Emitter-Spannung*Basisstrom
Gleichtakt-Ablehnungsverhältnis
​ Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = 20*log10(Differentialmodusverstärkung/Gleichtaktverstärkung)
Basisstromverstärkung
​ Gehen Basisstromverstärkung = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)
Eigener Gewinn von BJT
​ Gehen Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung

Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung Formel

Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung
VCE = VBE-VBC

Was ist V.

Die Kollektor-Emitter-Spannung v

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